分享富士通半导体128K串行接口FRAM MB85RS128B

富士通FRAM(铁电RAM)是新一代非易失性存储器,性能优于 E2PROM 和闪存等现有存储器,功耗更低,速度更快和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种应用,包括智能卡、RFID、安全和许多其他需要高性能非易失性存储器的应用。
 
■描述
MB85RS128B是一款16,384字×8位配置的FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。MB85RS128B采用串行外设接口(SPI)。MB85RS128B能够在不使用备用电池的情况下保留数据,这是SRAM所需要的。
 
MB85RS128B采用的存储单元可进行1012次读写操作,相比Flash存储器和E2PROM支持的读写操作次数有显着提升。MB85RS128B不需要像Flash存储器或E2PROM那样长时间写入数据,并且MB85RS128B不需要等待时间。
 
■特点
·位配置:16,384字×8位
·SPI对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
·工作频率:除READ33MHz(Max)READ命令以外的所有命令25MHz(Max)
·高耐久性:1012次/字节
·数据保留:10年(+85℃)、95年(+55℃)、超过200年(+35℃)
·工作电源电压:2.7V至3.6V
·低功耗:工作电源电流6mA(Typ@33MHz)待机电流9μA(Typ)
·工作环境温度范围:−40℃至+85℃
·封装:8针塑料SOP(FPT-8P-M02)符合RoHS
 
■引脚分配

■串行外设接口(SPI)
富士通铁电存储器MB85RS128B作为SPI的从机工作。使用配备SPI端口的微控制器可以连接2个以上的设备。通过使用没有配备SPI端口的微控制器,SI和SO可以通过总线连接使用。

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