【国庆特别篇：“芯”光大道（上）】众志成城，“芯”梦启航

文 / Edward

新中国成立至今，风风雨雨，一路坎坷走过七十又一年，至今终于走出了自己的道路，走出了一个强大的新中国。甚至在某些领域已经“直道超车”，某些领域也“弯道超车”达到了世界领先水平。而作为高科技技术代表之一的电子产业，更像是在一张一清二白的纸张上画出了一颗璀璨夺目的珍珠，尽管这颗珍珠并没有那么的完美，但这也是一代又一代先辈们穷其一生所做的诗篇。

1947年12月，美国贝尔实验室的肖克利研究小组研究出第一颗晶体管器件——点接触型锗晶体管，标志着微电子革命即将到来。两年之后，新中国成立。此时的新中国百废待兴，当时国家的所有工业基本处于停滞状态，工业基础非常薄弱。连轻工业，食品工业这些比较传统的工业生产都无法满足国内的需求，更别说是电子工业这种站在现代工业顶端的产业。因此新中国成立之后的数十年间，国内的电子产业发展处于停滞状态，没人做，没技术做，没资本做。

经过7年的艰苦奋斗，到了1956年，国内局势基本稳定，绝大多数城市的基础工业生产也已经步入正轨。1956年1月，中共中央召开关于知识分子问题会议，动员全党和全国人民四个方针：实现教育现代化，攀登科学技术高峰，向科学进军，实现科学技术的现代化。因此科学技术的发展正式迈上发展历程。

这个时期，有一大批掌握世界先进半导体理论的华人科学家们，纷纷放弃国外优厚的待遇，毅然回国参与国家的建设，除了我们熟知的“两弹元勋”先辈们，半导体行业也有一大批民族大义的科学家回国，这里最值得说的两位是黄昆（1919.9.2－2005.7.6）和谢希德（1921年3月19日—2000年3月4日）。

黄老先生于1948年，获英国布里斯托尔大学博士学位，获得博士学位后，在英国爱丁堡大学物理系、利物浦大学理论物理系从事研究工作。1951年，黄昆回到北京大学任物理系教授。

1952年，谢希德先生麻省理工毕业后，归国后加入复旦物理系任教授。中国半导体物理学科和表面物理学科开创者和奠基人，谢先生一生传奇坎坷，被尊称为“中国半导体之母”。

1956年，黄昆先生和谢希德先生，共同编写了国内第一部半导体理论著作《半导体物理学》，这部巨作绝对是中国半导体理论科学界的奠基之作。

除了半导体理论基础有了突破外，同时期半导体生产技术也有了从零的突破。1957年，林兰英先生放弃美国的优厚待遇，毅然回国任职于中科院应用物理所。

1958年秋天，由林兰英主持设计加工的中国第一根硅单晶诞生，这根圆柱体硅单晶长8厘米、直径5.08厘米。

1961年深秋，林兰英主持设计加工了中国第一台开门式硅单晶炉，并且成功制造生产。

1962年春天，正式启动这台开放式硅单晶炉进行拉制工作，中国第一根无位错的硅单晶拉制成功。

1962年10月，林兰英在一个半导体学术会议上，拿出了砷化镓单晶。经国际专家鉴定鉴定，这个砷化镓单晶的电子迁移率达到了当时国际上的最高水平。

1964年，林兰英参与并研究出了中国第一只砷化镓二极管激光器。

“文革”开始那年，她还与中国第一位女院士林巧稚一同登上天安门城楼，事后便跌于“文革”的沼泽中。

1973年，还在“文革”风雨中的她，第一次提出用汽相外延和液相外延法制取砷化镓单晶，后来，砷化镓汽相外延电子迁移率连续4年居国际最高水平，至今还处于国际领先地位。

80年代，她开创性地提出在太空微重力条件下拉制砷化镓的设想。1987年8月，中国终于在第九颗返回式人造卫星上拉制出了第一块高质量低缺陷的砷化镓单晶。

1965年，王守觉先生在中科院上海中国科学院上海冶金所成功仿造了当时新中国的第一块集成电路，它由7个晶体管，1个二极管，7个电阻和6个电容组成。这也标志着我国半导体芯片设计生产制造拉开帷幕。此时的新中国从一清二白到具有集成电路仿制工艺只用了16年，而当时中国半导体行业十足才发展了9年。还需要提到的一点是，世界上第一块集成电路芯片是德州仪器的工程师杰克·基尔比（Jack S. Kilby）于1958年9月12日发明的。

祝祖国越来越繁荣昌盛，更好的明天离不开大家的众志成城。