华中科技大学梁琳研究员：高压大容量特种功率半导体器件研究进展

中国电工技术学会成立40周年华诞

2021年9月25—26日，中国电工技术学会成立40周年纪念大会暨第十六届中国电工技术学会学术年会在北京会议中心盛大举行。华中科技大学梁琳研究员应邀在年会“电力电子技术及电能变换”专题会议上，就“高压大容量特种功率半导体器件研究进展”作特邀报告。现将梁琳研究员的报告分享给各位读者，以期促进本领域的学术交流和技术进步。本号将陆续推送大会的部分专家报告，请读者持续关注。

专家简介

梁琳，华中科技大学电气与电子工程学院研究员，博士生导师，电力安全与高效利用教育部工程研究中心副主任。IEEE高级会员，中达青年学者奖获得者，2021中国电源领域“最美科技工作者”入选者，国际一流期刊IEEE JESTPE副编辑。曾赴美国北卡州立大学FREEDM Systems Center任访问教授。

研究领域为功率半导体器件、封装、可靠性及其应用。发表SCI/EI/CSCD收录论文70余篇；合作出版专著2部；获授权国家发明专利17项，其中转让3项；主持国家自然科学基金面上项目2项、国防基础科研计划项目1项，是1项国家重点研发计划项目课题执行负责人，主持与企业、科研院所合作项目20余项。

报告摘选

RSD、DSRD、FID等特种器件系列，覆盖了不同功率范围、时间尺度的脉冲功率应用，前景广阔。

碳化硅脉冲高压双极型器件与硅基器件相比优势明确，实际应用中减少材料缺陷、提升少子寿命仍是重大挑战。

压接IGBT、SiC IGBT等电力电子器件在各自优势参数范围也可在脉冲功率领域应用，要发挥出最优性能需定制化设计。