美光明年初量产GDDR6显存，GDDR5X显存将提速16Gbps

2017年DDR4内存早已成为市场主流，显存市场上则迎来新的发展契机——GDDR5老骥伏枥，HBM 2走向成熟，GDDR6初露曙光。前不久SK Hynix公司宣布了旗下显存产品路线图，GDDR6显存最快今年底问世。现在美光公司也公布了他们的显存路线图，GDDR6显存将在明年Q1季度问世，初期速率在12-14Gbps，核心容量8Gb、16Gb，而GDDR5X也会继续并存，核心容量8Gb，速率10-12Gbps。

与三星、SK Hynix纷纷涉足高性能但是高成本的HBM显存不同，美光对HBM显存似乎并不热情，现有的路线图上都没HBM显存的事，而且美光在3D内存上有HMC在研发，看样子短时间内不会进入HBM市场了，他们在GDDR5上搞了GDDR5X显存，是一种低成本、但能大幅提升显存频率的过渡方案，至少目前的表现还不错，NVIDIA GTX 10系列的高端显卡都在用GDDR5X显存，其中Titan Xp显卡上的频率已经提升到了11.4Gbps。

在过去的这个周末，美光公司又宣布了新的GDDR产品路线图，依然继续GDDR5X、GDDR6两条路。这其中，美光的GDDR5X显存将进一步提速，他们的工程师团队已经在实验室环境中验证了16Gbps的可能性，如下图所示：

上面这幅图片中，左边的是GDDR5X显存在16Gbps频率下运行PRBS的情况，此时时序和电压裕度都很正常，而右边的是10Gbps GDDR5X升级到16Gbps时的时序裕度（水平线）及电压（水平）情况。看不懂美光这个专业表格也没关系，大家知道他们说的是已经找到了方法让GDDR5X显存稳定、正常运行在16Gbps的高频率，这个方法并非理论上的，是实际可行的。

从美光公布的数据来看，GDDR5X显存核心容量为8Gb，JEDEC标准中最高可达16Gb，频率则是10-12Gbps，JEDEC标准中则是10-16Gbps，FBA190封装，电压1.35-1.8V。

GDDR6显存则是GDDR5的正宗继承人，核心容量8Gb、16Gb，JEDEC标准中最高32Gb（4GB容量，注意这只是一个核心die），频率12-14Gbps，JEDEC标准中最高可达16Gbps。对于GDDR5X和GDDR6显存规格，二者很多相似之处，不过GDDR6是双通道架构的，GDDR5X是单通道架构，二者的封装也不同，GDDDR6将采用FBGA180封装，针脚有所改良。

至于时间进度，美光表示基于他们在高性能的GDDR5X显存上的经验，GDDR6显存将在2018年早些时候量产，具体可加小超哥（id:9501417）微信了解。

不过跟SK Hynix一样，美光早期量产的GDDR6显存频率也不会高，也就是上面表格中的12-14Gbps速率，16Gbps频率的高性能GDDR6显存大概会在2019年实现，在2020年之前也只会略微提速。至于2020年之后的显存，美光没有提到，但是早前三星、SK Hynix公司有过讨论，那时候应该会有HBM 3显存登场了，不只是提升性能，更重要的是降低成本，不然HBM显存就没可能普及。