Intel：我的3D NAND存储密度更大，第二代产品明年下半年登场

去年Intel举办的3D Nand Technical Workshop上Intel透露了他们第一代3D NAND的计划以及一些技术上的细节，现在一年过去了，昨天7月12日Intel & Richmax再次在深圳举办了3D Nand Technical Workshop，介绍了Intel第一代3D NAND的现状，而且还稍微透露了第二代3D NAND的些许情报。

关于Intel第一代3D NAND，其实许多细节在去年的会议上已经说过了，采用32层堆叠，采用50nm到34nm之间的工艺，TLC与MLC其实都是同一块芯片，客户可以根据自己的需求选择闪存是工作在MLC模式还是TLC模式，闪存出厂的时候默认是MLC 2-pass模式（MLC 1-pass模式被砍掉了），客户可以通过指令把闪存切换成TLC模式。

Intel的3D NAND代号是L06B/B0KB

L06B是MLC产品的代号，采用ONFI 4.0标准，Die Size 32GB，16k Page Size，使用4-plane设计，虽然会带来额外的延时，但同时也提供了比目前常见的2-plane设计闪存高1倍的读写吞吐量，闪存寿命是5000 P/E。

B0KB则是TLC产品的代号，由于是同一芯片所以许多东西都是L06B一样，当然容量、性能与寿命什么的肯定不同，Die Size 48GB，闪存寿命是1500 P/E，由于是TLC所以需要ECC标准是更高的LDPC。

Intel 3D NAND全部会使用132-Ball BGA封装，L06B可以从256Gb（32GB）到4096Gb（512GB）的产品，另外这款闪存的CE数其实是可以调的，这样可以更容易的做出更大容量的SSD。

Intel第一代3D NAND现在已经量产，但是得先满足Intel自己SSD的需求，向其他客户供货是今年第三季度后的事情了。

这是第三方调研公司所做的市场调查与预测，3D NAND出来后就开始压缩传统MLC和TLC闪存的市场份额，到今年年底3D NAND会占据市场的三分之一，而明年年底则会占据一半的市场，传统2D MLC的市场份额压塑得最严重，而3D NAND其实也是以TLC为主，3D MLC闪存只是少数，3D TLC会是主流，原因是3D TLC的性能已经可以满足大多数消费者的需求，以后用MLC闪存的SSD会渐渐变少。

Intel的3D NAND依然会采用Floating Gate工艺制造，与Charge-Trap 3D NAND相比有存储密度上的优势

会议上简单的提到了Intel第二代3D NAND，堆叠层数会多于现在的32层，保守点估计是48层，与第一代3D NAND不同，第二代3D NAND默认是TLC工作模式，会在2017年下半年推出Die Size 32GB（B16A）的样品，再过一个季度会推出Die Size 64GB（B17A）的样品，量产肯定是2018年后的事情了。

会后嘉宾合影

关注超能网微信公众号exp2006，原创科技资讯精彩不断。