昭和电工将向东芝供应SiC外延片

2021年9月28日- (JCN Newswire) -昭和电工K.K. (SDK;东芝(TSE:4004)与东芝电子设备及存储公司(Toshiba)签订了长期供应合同,提供功率半导体用SiC外延片(SiC外延片)两年半，附带可选延长条款。东芝是一家日本电子设备制造商，为全球市场提供高效率的基于SiC的功率器件。

东芝一直在开发和商业化各种基于SiC的功率器件，包括用于轨道车辆的逆变器，同时采用SDK生产的SiC外延片作为主要材料，用于SiC基肖特基势垒二极管[1](SiC SBD)和SiC基金属氧化物半导体场效应晶体管[2](SiC MOSFET)。

东芝决定签订这项长期合同，是因为该公司赞赏SDK生产的SiC外延晶圆的性能均匀性[3]和表面缺陷密度低[4]。该长期合同将进一步加强SDK与东芝在SiC外延片性能改进方面的技术合作。此外，SDK预计东芝采用SDK生产的SiC外延片，将有助于SDK进一步拓展其SiC外延片业务。

作为全球最大的独立SiC外延晶圆制造商(据SDK估计)，在“一流”的口号下，昭和电工集团将继续应对碳化硅外延片市场的快速扩张，为市场提供高性能、高可靠性的产品，从而为碳化硅功率半导体的传播做出贡献，使其节能、功率损耗小、发热量少。

[1]“肖特基势垒二极管”(SBD)是一种半导体-金属结而非PN结结构的二极管。SBD适用于高速开关，广泛应用于开关电源中。

[2]“金属-氧化物-半导体场效应晶体管”(MOSFET)是一种功能快速、控制精度高的晶体管。因此，MOSFET被广泛应用于电力电子的开关模式电源，包括控制电压和频率的变换器和逆变器。

[3]“性能均匀性”是指氮掺杂的均匀性，这决定了晶片的物理性能。以掺氮碳化硅为原料制备了碳化硅功率半导体。高压用SiC功率半导体需要少量氮的均匀掺杂。

[4]“表面缺陷密度低”是指晶圆片每平方厘米的表面缺陷数量非常少。如果存在表面缺陷，电流流过该表面缺陷，芯片就不能用作电源设备。另一方面，大电流的SiC功率器件需要大尺寸的SiC芯片。因此，在功率器件生产中，低密度的表面缺陷是实现高成品率的必要条件。SDK向东芝供应的第二代高档SiC外延片(HGE- 2g)，表面缺陷密度为第一代产品(HGE)的1/2或更少。

来源：JCN Newswire

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