HARP工艺采用03和TEOS的热化学反应

发布时间:2017/10/12 22:05:15

当集成电路发展到65nm技术节点时,HDP I艺技术已经不能满足小尺寸沟槽的填充需求,因而发展出一种新的填充工艺技术即高深宽比工艺(High Aspect Ratio Process,HARP)。HARP工艺采用03和TEOS的热化学反应,没有等离子体的助,同时需要沟槽具有特定的形貌,如特定角度的V字形沟槽。PT4226该技术能够适应深宽比在7:1以上的需求。⒛08年,应用材料公司又推出cHARP工艺技术以适应32nmェ艺的需求。该技术在原有工艺引入水蒸气,能够提供无孔薄膜,用于填充小于30nm、深宽比大于12:1的空隙,从而满足先进存储器件和逻辑器件的关键制造要求「6J。

更进一步地,在2010年8月,同样是应用材料公司推出第4代填充技术,即流动式化学气相沉积(FCⅤD)技术。采用该技术,沉积层材料可以在液体形态下自由流动到需要填充的各种形状的结构中,填充形式为自底向上(bottom up),而且填充结构中不会产生空隙,能够满足的深宽比可超过30:1。这种独特I艺能够以致密且无碳的介电薄膜从底部填充所有这些区域,并且其成本相对低廉,仅是综合旋转方式的一半左右,后者需要更多的设备和很多额外的工艺步骤。

当集成电路发展到65nm技术节点时,HDP I艺技术已经不能满足小尺寸沟槽的填充需求,因而发展出一种新的填充工艺技术即高深宽比工艺(High Aspect Ratio Process,HARP)。HARP工艺采用03和TEOS的热化学反应,没有等离子体的助,同时需要沟槽具有特定的形貌,如特定角度的V字形沟槽。PT4226该技术能够适应深宽比在7:1以上的需求。⒛08年,应用材料公司又推出cHARP工艺技术以适应32nmェ艺的需求。该技术在原有工艺引入水蒸气,能够提供无孔薄膜,用于填充小于30nm、深宽比大于12:1的空隙,从而满足先进存储器件和逻辑器件的关键制造要求「6J。

更进一步地,在2010年8月,同样是应用材料公司推出第4代填充技术,即流动式化学气相沉积(FCⅤD)技术。采用该技术,沉积层材料可以在液体形态下自由流动到需要填充的各种形状的结构中,填充形式为自底向上(bottom up),而且填充结构中不会产生空隙,能够满足的深宽比可超过30:1。这种独特I艺能够以致密且无碳的介电薄膜从底部填充所有这些区域,并且其成本相对低廉,仅是综合旋转方式的一半左右,后者需要更多的设备和很多额外的工艺步骤。