投资7000亿!紧抓 SiC 风口!

来源:摩尔新闻

SK集团将在碳化硅(SiC)半导体晶圆业务上投资7000亿韩元,以期到2025年成为世界高科技材料市场第一的参与者。

该集团的控股公司 SK Inc. 最近宣布,到 2025 年将在高科技材料上投资 5.1 万亿韩元。其中 7000 亿韩元将投资于 SiC 晶圆。该公司计划再投资 3000 亿韩元用于 GaN 功率半导体。

SK Inc. 预计 2021 年其 SiC 晶圆业务的销售额将达到 300 亿韩元,并计划到 2025 年将其扩大到 5000 亿韩元。目前,该业务不赚钱,但目标是在2025年实现盈利。
碳化硅晶圆是电动汽车、5G网络设备和太阳能发电机的功率半导体不可或缺的一部分。它们比硅 (Si) 晶圆更耐高压和耐热,有助于使半导体芯片更小。
碳化硅半导体可以承受比其他半导体高10倍的电压并在400摄氏度下运行,而硅半导体最多可以承受175摄氏度。它们不仅坚固,而且它们的尺寸可以缩小到硅半导体的十分之一。SK Siltron 的 SiC 晶圆将功率损耗降低了 77%,并将重量和体积降低了 40%。
SK Inc.和SK Siltron正密切关注电动汽车用碳化硅功率半导体市场。2018年,特斯拉在汽车行业首次将意法半导体的碳化硅功率芯片装入Model 3,开创了碳化硅功率半导体市场。此后,已有 20 多家汽车制造商采用了 SiC 功率半导体。SK Inc.预测,到2025年,电动汽车的碳化硅半导体采用率将从目前的30%上升到60%以上,碳化硅晶圆市场预计将从2021年的2.18亿美元扩大到2025年的8.11亿美元。
SK Inc. 计划抢先将 SiC 晶圆的产能从 2021 年的 30,000片提高到 2025 年的 600,000,以将其全球市场份额从 5% 扩大到 26%。
SK集团选择碳化硅晶圆和功率半导体作为新的增长动力,多年来一直对其进行大量投资。SK Siltron 于 2019 年以 4.5 亿美元从美国杜邦公司手中收购了 SiC 晶圆业务部门,从而进军 SiC 晶圆业务。2021 年 1 月,SK Inc. 向韩国生产 SiC 功率半导体的公司 Yes Power Technics 投资 268 亿韩元,收购该公司 33.6% 的股份。7 月,SK Siltron 的美国子公司 SK Siltron CSS 决定在密歇根州投资 3 亿美元,以扩大 SiC 晶圆生产设施。当所有设施完成并准备投入使用时,SK Siltron 的生产能力将增加6倍。包括这笔 7000 亿韩元的投资,SK 集团仅在 SiC 晶圆技术和生产方面就投资了至少 1.6 万亿韩元。
领先企业也在继续进行大规模投资。排名第一的科锐自2019年起投资10亿美元在美国纽约州建设45万平方米的碳化硅晶圆厂。如果晶圆厂按计划于2022年投产,科锐的碳化硅晶圆厂产能将比2017年增加30倍以上。
(0)

相关推荐

  • 碳化硅与碳化硅(SiC)功率器件

    ​碳化硅与碳化硅(SiC)功率器件 在用新型半导体材料制成的功率器件中,最有希望的是碳化硅(SiC)功率器件.它的性能指标比砷化镓器件还要高一个数量级,碳化硅与其他半导体材料相比,具有下列优异的物理特 ...

  • 成功“偷袭”AMD!它才是爆发式增长的明日之“芯”?

    碳化硅化身黑马 本文来源 | 富途(45.99, 0.91, 2.02%)资讯 摘要:受益新源车的发展,全球碳化硅(SIC)龙头Cree(克里科技)股价持续上涨,截至美股周四(11月26日),Cree ...

  • 韩国产业崛起启示录:三星发力第三代半导体

    2021年05月21日 11:16:25 来源:AI芯天下 作者 | 方文 图片来源 | 网 络 半导体材料演进历程 第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半导体的产业园. 第二代材料 ...

  • 博世: SiC功率芯片和域控制器芯片,我们一个都不放过

    10月19-20日,NE时代作为受邀媒体参加了博世于东海汽车测试技术中心举办的"2020年博世汽车与智能交通技术创新体验日".此次创新体验日上,博世特别展示了其碳化硅功率芯片和智能 ...

  • 特斯拉一家就能用完全球碳化硅产能,碳化硅布局战正式打响

    记者丨林安东 编辑丨阿尔法 据<汽车新闻>报道,日本半导体制造商罗姆投建的新厂房于近日完工,并将于本月开始安装生产设备,以满足电动车等用途的碳化硅(SiC)电源控制芯片产能.罗姆负责人表示 ...

  • IGBT/SiC晶圆、模块、电控新动作一览

    大家都很努力-- 特斯拉Model 3/Y和比亚迪汉的一大功劳是让电动汽车厂家对功率器件格外重视起来.功率器件对车辆续航里程与性能的间接提升作用,促使众多车企将IGBT/SiC Mosfet电机控制器 ...

  • 【AET原创】SiC的突破要解决技术和原材料两大难题

    随着硅材料的负载量逐渐接近极限,以硅为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间.人们遂将目光投向以碳化硅(SiC)为代表的第三代宽带隙半导体材料.其中,SiC作为目前发展最成熟的宽禁带半导体材料 ...

  • Qorvo收购UnitedSiC,热捧宽禁带半导体

    11月3日,Qorvo宣布收购碳化硅(SiC)功率半导体供应商UnitedSiC,对UnitedSiC的收购扩大了Qorvo在快速增长的电动汽车(EV).工业电源.电路保护.可再生能源和数据中心电源市 ...

  • 资本加速涌入SiC和GaN领域

    韩国贸易,工业和能源部(MOTIE)宣布计划增加对国内SiC和GaN业务的投资支持.此外,SK集团最近加强了对化合物半导体的投资.预计随着公司和政府投资的结合,SiC和GaN市场将加速增长.   碳化 ...

  • 良率90%,成本仅为硅器件的1.5倍!碳化硅将革IGBT的命?

    最近,某碳化硅企业在线上活动透露,6寸碳化硅晶圆的价格为2-3万元/片,可以做成350-700颗车规级SiC Mosfet.目前碳化硅器件价格大约是硅器件的4-5倍.有机构预测,2025年碳化硅器件的 ...