SiO2定制材料 乙烯基修饰的微孔二氧化硅膜/甲基修饰二氧化硅膜/聚多巴胺表面修饰纳米二氧化硅/二氧化硅表面单层自组装膜的修饰

无定形微孔SiO2膜具有较高的H渗透率以及气体选择性，是高温下最有前景的Hz分离材料之一。但因为微孔SiO2膜的强亲水性，其水热稳定性需要提高。

本论文主要研究用乙烯基团修饰微孔SiO2膜以提高其疏水性，进而提高其水热稳定性，并研究H2在疏水微孔SiO2膜中的输运和分离行为。论文采用溶胶一凝胶法，用乙烯基三乙氧基硅烷(TEVS)代替部分正硅酸乙酯(TEOS)，通过两者共水解缩合反应，制备均一稳定的SiO2溶胶;SiO2溶胶在洁净室条件下，采用dip-coating方法涂膜，得到以y-A1zOza-Alz0,为支撑体的微孔SiO2膜。应用扫描电镜（SEM)、N2吸附、光学接触角测量仪、热重分析（TG)以及si魔角旋转固体核磁共振〈si MAS NMR〉等测试手段表征产物的形貌、孔结构和疏水性能，并探讨乙烯基修饰的微孔SiO2膜疏水机理。

实验结果表明，乙烯基修饰的SiO2膜的孔结构依然为典型的微孔结构，孔径在0.5nm左右，且分布狭窄;接触角测量结果显示修饰后SiO2膜表现出良好的疏水性能，并且材料的疏水性随着TEVS添加量的增加而增强;NMR结果证明修饰后样品表面存在Si-C2H3基团，并且随着TEVS添加量的增加，Si-CH,基团浓度增加，Si-OH基团浓度降低;将修饰前后的样品置于相同潮湿环境下一段时间，发现修饰后样品的孔结构几乎没有发生改变,而修饰前样品的孔结构由典型微孔结构转变为介孔结构，孔结构发生了非常明显的改变。

气体渗透与分离实验表明，随着温度的升高，H2渗透率不断增大，当温度达到300℃时，H2渗透率达到1.79×10-7 mol-ms1Pa1，H2/CO2分离系数大于7，大于Knudsen扩散的渗透选择性因子，说明H2在乙烯基修饰的微孔SiO2膜中的输运遵循徼孔扩散机理。

我们提供各种多孔材料、石墨烯、钙钛矿、量子点、纳米颗粒、空穴传输材料、纳米晶、化学试剂、光电化学品、有机光电和半导体材料、材料中间体、酶制剂、酶底物等一系列产品。

相关定制产品

载体SiO2表面修饰对钒基催化剂

POSS基聚合物修饰二氧化硅纳米粒子

聚马来酸酐和二氧化硅修饰的水溶性CdSe/ZnS荧光量子点

单链dna核酸适配体修饰二氧化硅/四氧化三铁磁性微球

SiO2微球修饰浸润剂

苯基修饰二氧化硅纳米片纤维

纳米二氧化硅修饰叶蜡石粉体

SiO2修饰的TiO2载体

纳米SiO2修饰玻纤表面

Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰

磁性纳米二氧化硅表面修饰

纳米二氧化硅修饰碳糊电极

金纳米棒的二氧化硅表面修饰

介孔二氧化硅对纳米二氧化钛进行表面修饰

胶体颗粒的二氧化硅棒修饰

zl 03.04