金属单质靶材/合金靶材/化合物靶材-高纯溅射靶材

PVD（Physical Vapor Deposition）技术是制备薄膜材料的主要技术之一，在真空条件下采用物理方法，将某种材料气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基板材料表面沉积具有增透、反射、保护导电、导磁、绝缘、耐腐蚀、抗氧化、防辐射、装饰等特殊功能的薄膜材料的技术。用于制备薄膜材料的物质被称为 PVD镀膜材料。溅射镀膜和真空蒸发镀膜是最主流的两种 PVD 镀膜方式。

溅射靶材具有高纯度、高密度、多组元、晶粒均匀等特点，一般由靶坯和背板组成。靶坯属于溅射靶材的核心部分，是高速离子束流轰击的目标材料。靶坯被离子撞击后，其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜。由于高纯度金属强度较低，因此溅射靶材需要在高电压、高真空的机台环境内完成溅射过程。超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合，背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，且需要具备良好的导电、导热性能。

按使用的原材料材质不同，溅射靶材可分为金属/非金属单质靶材、合金靶材、化合物靶材等。溅射镀膜工艺可重复性好、膜厚可控制，可在大面积基板材料上获得厚度均匀的薄膜，所制备的薄膜具有纯度高、致密性好、与基板材料的结合力强等优点，已成为制备薄膜材料的主要技术之一，各种类型的溅射薄膜材料已得到广泛的应用，因此，对溅射靶材这一具有高附加值的功能材料需求逐年增加，溅射靶材亦已成为目前市场应用量最大的 PVD 镀膜材料。

超高纯金属及溅射靶材是电子材料的重要组成部分，溅射靶材产业链主要包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用等环节，其中，靶材制造和溅射镀膜环节是整个溅射靶材产业链中的关键环节。

以下是客户经常购买的金属溅射靶材产品目录

CAS1344-28-1氧化铝陶瓷靶材

CAS 12055-23-1二氧化铪陶瓷靶材

CAS 1314-23-4氧化锆陶瓷靶材

CAS1313-27-5三氧化钼陶瓷靶材

CAS1314-35-8三氧化钨陶瓷靶材

CAS 1313-99-1 氧化镍陶瓷靶靶材

CAS 10097-28-6 一氧化硅陶瓷靶材

CAS 7631-86-9 二氧化硅陶瓷靶材

CAS 1306-38-3氧化铈陶瓷靶材

CAS 1333-82-0氧化铬陶瓷靶材

CAS 1312-43-2氧化铟陶瓷靶材

CAS 18282-10-5氧化锡陶瓷靶材

CAS 1309-48-4氧化镁陶瓷靶材

CAS 13463-67-7氧化钛陶瓷靶材

CAS 1313-96-8氧化铌陶瓷靶材

CAS 1314-61-0氧化钽陶瓷靶材

CAS 12060-58-1氧化钐陶瓷靶材

CAS 12024-21-4氧化镓陶瓷靶材

CAS 12064-62-9氧化钆陶瓷靶材

CAS 1314-62-1氧化钒陶瓷靶材

CAS 1314-36-9氧化钇陶瓷靶材

CAS 1314-13-2氧化锌陶瓷靶材

温馨提示：靶材形状：板材，圆片，矩形，方形，圆环，圆棒，台阶圆片，台阶矩形，三角形，管状靶，套靶等或按客户要求订做，可根据客户提供的图纸要求加工. 并可以为客户提供部分靶材的定制服务.

axc.2021.01.21