东芝即将公布64层堆栈3D闪存：TLC类型，512Gb容量

前面刚说中国长江存储科技公司将在2019年量产64层堆栈3D NAND闪存，国内公司能取得这样的成绩确实不容易，不过也别夸大他们的成绩，因为那时候64层堆栈3D闪存要比三星、东芝等公司要落后至少2年，三星、东芝、美光等公司今年内就会推出64层堆栈的3D NAND闪存，东芝已经宣布将在最近开幕的Dell EMC大会上展示64层堆栈的3D NAND闪存，核心容量高达512Gb，TLC类型。

在3D NAND闪存方面，三星是最早量产也是产能最大的供应商，进度遥遥领先东芝、美光、SK Hynix、Intel等公司。不过东芝作为NAND技术的发明人，在技术路线上也有独到之处，他们跟闪迪联合开发了BiCS技术的3D NAND闪存，目前已经发展了三代，不过第一代HiCS跟三星初代V-NAND闪存一样并没有量产，目前生产的是第二代48层堆栈的BiCS 3D闪存，下一代就是64堆栈的3D NAND闪存。

东芝及合作伙伴西数（闪迪被西数收购了）早前已经宣布过了64层BiCS技术的3D NAND闪存了，TLC类型，核心容量达到了512Gb（64GB），比目前的NAND闪存密度提高了65%，可以轻松制造出TB级别SSD硬盘。

东芝预计展示的产品会是XG系列NVMe硬盘，跟OCZ之前推出的消费级RD400系列很相似，不过东芝的XG系列主要面向OEM市场，他们也没有公布二者之间到底有什么区别。

东芝已经在4月份出样了64层堆栈的3D NAND闪存，预计下半年就会大规模量产。有了这种超大容量的3D NAND，SSD容量可以轻松达到1TB、2TB甚至4TB，智能手机达到512GB甚至1TB也有希望了。大家猜一下哪款手机会首先用上512GB闪存？下半年的iPhone 8会不会来个太上皇版的512GB型号？对于这个问题，大家可以加小超哥（ID：9501417）微信，告诉他你们的猜测，我们来验证下下半年的iPhone 8会不会有这个奇迹。