ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT的参数和普通二极管的区别

电子产品的类型很多，其应用也不同。在许多电子产品中，二极管也起着重要作用。对于肖特基二极管，我相信每个人都有一个简单的理解。今天，带您了解 ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT的参数和普通二极管的区别。

ASEMI的MBR20100FCT肖特基二极管的正向平均电流IF是指在规定的外壳温度和散热条件下允许通过的最大工频半波电流的平均值。组件的标称额定电流就是该电流。在实际应用中，流经大功率肖特基二极管的最大有效电流为I，通常将其额定电流选为安全系数1.5至2。

正向电压降VF是指在特定温度下一定的稳定正向电流流动时的对应正向电压降。反向重复峰值电压是功率二极管可以重复施加的最高反向电压，通常是其雪崩击穿电压UB的2/3。通常，在选择功率二极管时，反向重复峰值电压应选择为电路中可以承受的反向峰值电压的两倍。

ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT的参数和普通二极管的区别？两个二极管都是单向的，可用于整流。所不同的是，可以使普通硅二极管的耐压更高，但其恢复速度却很低，并且只能用于低频整流。如果是高频，则由于无法快速恢复而将发生反向泄漏，并最终导致电子管。严重的加热和燃烧，肖特基二极管和普通二极管的详细区别如下。

肖特基二极管和普通二极管的区别

肖特基二极管的最大特点是正向压降小，反向恢复时间短。肖特基二极管具有低的导通电压和小的电荷存储效果，适合于高频工作。在相同电流情况下，其正向压降远小于普通二极管的正向压降。它还具有低损耗，低噪声，高检测灵敏度，稳定性和可靠性的特点。它用于微波通信和雷达中的混合，检测，调制，倍频，超高速切换和低噪声放大。因此，肖特基二极管和普通二极管之间最明显的区别如下：

区别1.肖特基二极管的正向压降低于普通二极管，因此功耗低。

差异2。肖特基二极管的反向恢复时间比普通二极管短，因此工作频率更高。

差异3.肖特基二极管的反向耐压低于普通二极管，通常低于200V。

差异4.肖特基二极管通过的电流要大于普通二极管。

差异5.肖特基二极管的结电容小于普通二极管的结电容。

差异6.肖特基二极管可以通过高频电流。