机会啊机会,成本啊成本
1965年,中国便研制出65型接触式光刻机,后来称霸光刻机界的荷兰ASML公司这时还没有成立。 1977年,GK-3半自动光刻机诞生。 1980年,清华大学研制出第四代分布式投影光刻机,精度高达3微米,已经接近国际主流水平,仅次于美国。 1982年,科学院109厂研制的KHA-75-1光刻机在当时的水平均不低,最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年,而且从jkg系列至今仍在销售的情况来看,都具有不错的使用价值。 1985年,机电部45所研制出了分步光刻机样机,通过电子部技术鉴定,认为达到美国4800DSW的水平。中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年(美国是1978年)。 但随后中国光刻机技术遭遇“滑铁卢”: 在“十二五”科技成就展览上,中国生产的最好的光刻机,加工精度是90纳米。 这相当于2004年上市的奔腾四CPU的水准,而国外已经做到了十几纳米。
1960年,北京成立中国科学院半导体研究所,开启了中国半导体科学技术的发展之路。 1958年,即在中科院拉出中国第一根硅单晶——我们今天所说的硅晶圆,就是在硅单晶棒基础上切片得到的。 1975,北京大学物理系半导体研究小组,设计出我国第一批三种类型的(硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS)1K DRAM动态随机存储器,它比美国英特尔公司研制的C1103要晚五年,但是比韩国、台湾要早四五年。
对原创的不尊重;对科研人员的不重视;市场短时,缺乏长期主义;管理体制存在问题;半计划半市场的畸形;不合理的补贴制度。
2020年09月05日
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题图:赤城的雪
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