【技术分享-25】LLC谐振半桥原边侧MOSFET选择及容性区问题讨论 - Part I
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对于LLC，大家一直在谈的一个热点是其工作于ZCS容性工作区间，说实在的，之前并没有实际去认真拜读理清这一块，今天看到ST的一个资料，以及最近 杨帅 兄弟的数字型LLC控制，对于容性区又重新讨论了起来。
这是一个连载，因为大家阅读文章的时间有限，所以一次不能出太多内容，可能需要一段时间才能更新完，并这些都是建立在前人的肩膀上的一些个人理解。
所以先致谢，同时感谢 长崎大学 王吉喆 博士 的帮助！
1.Steigerwald, R.L. A comparison of half-bridge resonant converter topologies. Vols. vol. 3, pp.174-182, 1988.
2.Giuseppe Consentino, Antonino Gaito. Which Power MOSFET technologies in LLC HB converters 8- 10 May; 2012 .
3.STAN4720 Application note
4.杨帅哥的LLC建模系列: NCP1399FAN7688 UCC25604X TEA2016/2017;
微信公众号: 开关电源仿真与实用设计 (smps_simulator)
5.www.st.comLLC resonant half-bridge converter design guideline. AN2450.
6.AntoninoGaitoWhyuse a Fast Diode MOSFET in a LLC topology. STMicroelectronics.
7.www.st.com. DesignLLC resonant converters for ottimumefficiency. paper #530, s.l. :EPE 2009, EPE, p. 530.
8.www.st.comAn introduction to LLC resonant half-bridge converter AN2644.
9.陈桥梁:LLC谐振电路中MOSFET的选择
10陈桥梁:开关电源中MOSFET失效实例分析
vFairchild: AN-9067 LLC 谐振变换器中MOSFET 失效模式的分析
v文天祥、符致华:《开关电源工程化设计与实战(从样机到量产)》
v微信公众号: 松哥电源
以及
R.L. Steigerwald: A Comparison of Half Bridge Resonant Converter Topologies, IEEE Trans. on Power Electronics, 1988. Pages: 174 - 182.
T. Duerbaum, G. Sauerlaender, 'Analysis of the series-parallel multi-resonant LLC Converter - Comparison between first harmonic approximation and rneasurement',7' European Conference on Power Electronics and Applications. EPE '97 Volume 2, 2.174
当然，如果你能看明白上述参考文献的内容，那我的推送可以忽略了！
惯例来ppt:
未完待续！
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关于本人：
Eric Wen (文天祥)
IEEE Senior Member
CSCD中文核心期刊<<电源学报>>审稿专家
中国电源学会照明电源专业委员会委员
中国电源学会青年工作委员会委员
十多年来专注于电力电子的研究和创新，对电源拓扑，电力电子器件的应用有深入的研究和独特的见解,授权国际专利多项，擅长照明电子系统，智能电子硬件的平台设计和开发。同时对于电力电子产品的可靠性设计、品质管控，产品验证以及规模化生产有丰富的实践经验。独立出版电源相关书籍多部，代表性著作如下：
1.著:《开关电源工程化设计与实战---从样机到量产》,2019年5月出版,机械工业出版社。
2.译著 (唯一译者):Robert A. Mammano,《Fundamentalsof Power Supply Design》,中文版书名:《电源设计基础》,2018年10月出版,辽宁科学技术出版社。
3.译著 (唯一译者) ：Sanjaya Maniktala,《IntuitiveAnalog to Digital Control Loops in Switchers》,中文版书名:《开关变换器环路设计指南—从模拟到数字控制》,2017 年 5 月出版,机械工业出版社。
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