Intel 14/10nm花式吊打三星、TSMC，还要跟GF抢市场
三星、TSMC在14/16nm、10nm节点追赶上了Intel，在10nm、7nm节点甚至还会反超老大哥，这让保持多年技术领先的Intel有些不爽，因为TSMC、三星在半导体工艺命名上玩了一点小花招，昨天Intel院士借着给半导体工艺划分正名的机会委婉地对友商提出批评。不过在这个问题上，这几家公司打口水仗是没意义的，Intel还要拿出更多证据让大家看到他们在半导体工艺上继续保持领先，现在Intel公司就正式公布了一些工艺详情，被人吐槽的14nm工艺其实一直在不断改进，其中14nm++改进版工艺性能要比初代10nm工艺要好，此外Intel还推出了22nm LP FinFET低功耗工艺跟FD-SOI工艺竞争。
14nm战四代？看Intel花式吊打TSMC、三星
Intel是在14nm节点失去领先地位的，三星、TSMC各自推出了14nm FinFET、16nm FinFET工艺，很快他们就会推进下一代工艺，但Intel的14nm工艺却不会这么急退出市场，目前已经衍生过了Broadwell、Skylake、Kaby Lake三代处理器了，今年下半年还有8代Core处理器，算起来这是要战四代处理器了，可能在2018年都不会被10nm取代，因为Intel的14nm有点厉害，在官方PPT中简直花式吊打友商的14nm、16nm工艺。
我们知道Intel是做高性能处理器的，他们每一代工艺升级都很重要，14nm FinFET是他们第二代FinFET高性能工艺，而TSMC、三星在16、14nm节点才开始应用FinFET工艺，而且他们所谓的14/16nm制程很大程度上都是继承自低功耗20nm节点，跟Intel升级14nm节点不可同日而语，Intel表示其14nm工艺密度是其他厂商20/16/14nm工艺的1.3倍之多。
Intel宣称其14nm工艺密度比友商工艺高20%
不服气？那Inel上数据了
其他厂商不服气就拉出来比一比，Intel对比了未列出名字的TSMC 20nm、16nm及三星14nm工艺具体参数，包括我们之前强调过的栅极距（gate pitch）、鳍片间距（fin pitch）、金属栅距（metal pitch）及逻辑芯片高度，反正各方面指标都是大幅领先友商三种工艺。
Intel昨天提出的衡量半导体工艺真正需要的是晶体管密度，那么在这一点上Intel 14nm工艺达到了37.5MTr/mm2（每平方毫米百万晶体管），20、16及14nm工艺分别是28、29、30.5MTr/mm2（单看晶体管密度的话，TSMC和三星的FinFET工艺跟前代20nm工艺确实没多大提升），Intel确实是其他工艺的1.3倍左右。
后面的内容中，Intel继续活力十足，嘲讽全开，把友商的10nm都给比下去了。
Intel的14nm工艺晶体管密度相当于友商的10nm，但量产时间领先3年
虽然Intel的14nm工艺问世已经两年多了，全程支持要支撑3年，2018年恐怕都不会落伍，处理器至少要有4代产品。虽然这也被玩家们调侃为挤牙膏，不过公平地说，Intel的14nm工艺也不是一成不变的，这几年一直在改进，Broadwell是第一代，Skylake是14nm+改进工艺，今年的Kbay Lake上使用的是第三种改进版14nm++工艺。
14nm工艺一直在改进，在不提升功耗的情况不断提升性能
Intel技术人员在演讲中提到他们的14nm++工艺性能其实比第一代10nm工艺还要高，这大概也能解释为什么10nm工艺起先只会用于移动版处理器，2018年的高性能处理器还会使用14nm工艺。不过也别着急，10nm工艺虽然不是高性能方向的，但晶体管密度、功耗等指标上依然比14nm工艺更好，而且也会继续改良中，后面我们再说。
!4nm++工艺比初代14nm工艺性能提升26%，或者功耗降低52%
14nm工艺的核心面积也在不断缩小
10nm工艺：Intel家晶体管密度是友商的2倍
尽管14nm工艺在高性能处理器上还会继续存在，但Intel也不会放慢10nm工艺脚步，毕竟这是大势所趋，迟早还是会取代14nm工艺的。这次的技术大会上，Intel就公布了相当多的10nm工艺细节，包括栅极距、鳍片间距等指标。
10nm工艺晶体管会继续缩小
前面也说了10nm工艺的优势是晶体管更小，密度更高，Intel官方给出的数据是晶体管密度提升2.7倍。
10nm晶体管密度可达100MTr/mm2，14nm节点是37.5MTr/mm2
10nm工艺使用的是第三代FinFET工艺，22nm、14nm分别是第一代、第二代
栅极距缩小趋势
Intel公布了10nm工艺的栅极距指标——54nm，对比前面提过的Intel 14nm、TSMC 20nm、16nm及三星14nm的栅极距70、90、90、78nm来说小了很多，Intel宣称这是业界最紧凑的栅极距。
金属间距是36nm，也是业界水平最低的
晶体管密度达到了友商的2倍
10nm工艺的核心面积也会继续缩小
跟14nm节点一样，Intel的10nm节点也会继续优化改良，后续还会推出10nm+、10nm++工艺，性能还会继续提升，功耗进一步降低。
具体来说，10nm++工艺的性能比10nm提升15%，功耗将降至0.7倍，每瓦性能比进一步提升。
22FFL工艺：对战FD-SOI的低功耗工艺
除了14nm及10nm工艺之外，Intel这次还宣布了一种新的制造工艺——22nm FinFET Low Power工艺，简称22FFL工艺，看名字就知道是针对低功耗产品开发的，是在22nm FinFET基础上优化改进而来的，其主要目标是跟GF公司的22nm FD-SOI工艺竞争物联网等低功耗芯片的。
22FFL工艺与22nm、14nm工艺的对比
22FFL工艺具备FinFET工艺的高性能和低漏电流优势
22FFL可提供与14nm++工艺相似的高性能晶体管
22FFL拥有业界最低的漏电流
在高性能的同时也可以同时具备低漏电流两种优点
22FFL工艺的生态合作伙伴
Intel的22FFL工艺显然不是给自己家X86处理器准备的，主要是代工用的，竞争目标就是GF公司推出的22nm FD-SOI工艺，同样是针对低功耗的IoT物联网等市场，后者可实在低至0.4V的运行电压，非常节能，不过现在Intel要来抢食市场了。很多精彩一手小道消息，尽在小超哥（weixin9501417）朋友圈~