微光显微镜EMMI分析
微光显微镜EMMI分析
侦测到亮点之情况:
1.漏电结;
2.解除毛刺;
3.热电子效应;
4闩锁效应;
5氧化层漏电;
6多晶硅须;
7衬底损失;
8.物理损伤等。
侦测不到亮点之情况:
1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形(埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置);
2.欧姆接触;
3.金属互联短路;
4.表面反型层;
5.硅导电通路等。
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微光显微镜EMMI分析
侦测到亮点之情况:
1.漏电结;
2.解除毛刺;
3.热电子效应;
4闩锁效应;
5氧化层漏电;
6多晶硅须;
7衬底损失;
8.物理损伤等。
侦测不到亮点之情况:
1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形(埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置);
2.欧姆接触;
3.金属互联短路;
4.表面反型层;
5.硅导电通路等。