美光量产12Gb LPDDR4X内存：4266Mbps频率、功耗降低10%

2018年的智能手机存储容量越来越大，闪存基本上是64GB起了，128GB已经是主流，内存芯片普遍是6GB起，高端的上了8GB甚至10GB。想要内存容量再上一个台阶，除了期待降价之外，还有赖于大容量LPDDR4内存的量产。美光公司今天宣布大规模量产12Gb核心容量的LPDDR4X内存，使用了1Y nm工艺（10nm级别的）生产，频率可达4266Mbps，同时功耗降低了10%，明年的智能手机可以上12GB内存了。

美光表示其12Gb LPPDR4X颗粒是目前业界容量最高的，速度也是最快的——速度快倒是真的，不过美光的12Gb LPDDR4X内存并不是容量最大的了，三星早在4月份就宣布了16Gb核心容量的LPDDR4X内存了，频率同样是4266Mbps。

12Gb颗粒意味着单核心就有1.5GB容量，4核心就有6GB内存容量，8核心则是12GB内存了，明年差不多就会有12GB内存的高端智能手机了。

除了频率高达4266Mbps之外，美光表示其LPDDR4X内存还有能耗上的优势，功耗降低了10%。

美光的12Gb LPDDR4X内存使用了1Y nm工艺，官方表示是10nm级别的，这种说法经常会误导一些媒体同行，以为是10nm工艺的，它其实是1X nm之后第二代10nm级工艺，1X nm大概是16-19nm，1Y应该是14-16nm工艺，之所以这么模糊是因为20nm节点之后DRAM工艺也面临各种困难，线宽指标没有明确的数值了，所以用XYZ代替，在这之后还有1α及1β工艺。