聚焦宽禁带与超宽禁带半导体！浙大杭州科创中心首席科学家杨德仁院士出席双清论坛

3月15日-16日，国家自然科学基金委员会第278期双清论坛在北京成功举办。本次论坛以“宽禁带与超宽禁带半导体”为主题，浙江大学杭州国际科创中心首席科学家杨德仁院士担任本次论坛共同主席，中心先进半导体研究院皮孝东教授、杨树研究员以及来自国内相关领域的近40所高等院校和科研院所的80余位专家学者参加本次论坛。

当下，国产芯片将迎来巨大发展机遇。无论是5G、物联网还是数据中心、人工智能等，都潜藏着海量的芯片需求，迫切需要新一代半导体技术的发展与支撑。“十四五”规划纲要草案在提及集成电路产业时，明确指出要加强“碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。宽禁带半导体已经成为当之无愧的国家重大需求。本次论坛面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康，深入探讨了宽禁带与超宽禁带半导体领域材料、物性与器件研究现状、发展趋势及面临的挑战，凝练了我国在该研究领域急需关注和解决的重大科学问题。与会专家学者认为，宽禁带半导体功率电子材料与器件、宽禁带半导体射频电子材料与器件、宽禁带半导体深紫外光电材料与器件、InGaN基长波段光电子材料与器件、超宽禁带半导体材料与器件等是我国今后5-10年的重点资助方向。

据了解，“双清论坛”是国家自然科学基金委员会为推动创新文化建设、营造良好创新环境而举办的学术性研讨会。旨在立足于科学基金资助工作，集中研讨科学前沿或国家发展战略需求的深层次科学问题、学科交叉与综合的重大基础科学问题、发展与完善科学基金制的重大政策与管理问题。