1纳米不是终点，国内研究精度已达0.65纳米，成果受到国际认可

芯片领域一直在世界范围内都是备受关注的，为了阻止我国芯片技术的发展，西方国家多次从中阻挠，不过最近我国对于芯片的研究还是传来了好消息，并深受国际认可。

芯片的发展是遵循摩尔定律的，而就目前芯片领域的发展，其实已经开始接近摩尔定律，达到了最先进的3nm芯片制造。

IBM公司在近日声称：已经研发出了2nm芯片技术，此消息一出顿时在世界范围内引起热议，毕竟在芯片领域占据王者的三星和台积电还没有达到该水平，虽然该技术还没有达到量产，但已经是备受期待了。

IBM公司属于美企，并且据悉IBM极有可能会将2nm芯片交由三星进行制造，那对我国芯片的发展必然会造成极大的威胁，为了能够突破垄断，我国正在加大该领域的研究步伐。

众所周知目前晶体管基本上都是平行结构，当芯片达到1nm的时候，就需要缩短沟道长度，对光刻机精度的要求也会随之提高，为了谋求更长远的发展，垂直型结构晶体管逐渐被人们发现。

我国最近在芯片领域有好消息传出，据了解湖南大学的研究团队在芯片研究中有了新的进展，研究结果通过相关测试表明，垂直型晶体管实现了0.65纳米的沟道长度，更是证明了芯片工艺可以进入到1nm级别。

这种垂直型晶体管本质上就与平行晶体管不同，它不需要依靠高精度的光刻机和刻蚀机，就可以将高制程的芯片制作出来。

这项研究成果的发现不仅让全世界看到了1nm不是芯片的终点，而且更预示着我国在芯片领域的研究已经处于世界领先水平，研究精度已经达到了0.65nm。

目前该研究成果的相关论文已经发表在《Nature Electronics》上，可以说我国在芯片领域的新进展引起了世界的广泛关注，也获得了国际认可。

但是0.65纳米技术目前也仅仅是处于实验室当中，具体什么时间能够被用于工厂生产并实现量产，还不得而知，但在一定程度上已经突破1nm限制，对于芯片行业的持续发展起到关键性作用。

毕竟理论研究是一切想法成功实现的前提，如果没有理论研究的出现，就不可能实现0.65nm芯片的量产，所以相信随着我国研究者对芯片技术的持续关注，未来可以先行制作出1nm级别的芯片。

我国在芯片行业的发展并不是一帆风顺的，甚至经常受到西方国家的封锁，为了能够早日实现突破式发展，我国政府给予大力支持、各大高校研究团队也积极加大对这方面的研究、各大企业高薪聘请技术型人才，在多方的努力之下，我国在芯片领域不断取得新成就。