失效分析之SEM/EDX, FIB

上次我们讲了一点点失效分析的皮毛，今天专门说一说常用的SEM和FIB，之所以说常用就是很多时候失效发生的时候，我们怀疑什么东西不好后，盲切一下看看是否是明显的异常，比较快，如果随便切不到异常再用其它方法，也耽误不了多少时间，利大于弊；有时候就是要看看实验的截面，就更简单了，直接切一下想要看的结构的横截面即可，SEM拍的清晰度好一些，FIB的优势是可以定位切割，对于非常小的结构，定位切割的优势明显。

OM：光学显微镜下观察，适用于明显的色差，缺陷，是否缺失，或者多余层次，用于初级判断是否有明显异常。

SEM：讲SEM一般都会放下面这张图。大家了解一下，具体机理比较复杂，有兴趣的朋友可以百度找一下看看，这里就不详细介绍了。

扫描电子显微镜介绍：放大倍率，解析度，还可以配合EDS确认需要确认区域所含的元素成分

EDX的原理图：EDX是借助于分析试样发出的元素特征X射线波长和强度实现的， 根据不同元素特征X射线波长的不同来测定试样所含的元素。通过对比不同元素谱线的强度可以测定试样中元素的含量。

SEM下拍的结构形貌图如下：

FIB：聚焦离子束，可以定位切截面，然后一刀一刀往里面切，直到达到目的

FIB机台示意图：

FIB应用：

FIB切截面：一般最表面要镀一层碳来增加对比度，FIB的样品如果看不清楚，还可以上SEM上再拍截面，会清晰一些。

TEM样品制备：

VC技术的应用：经常用于孔链失效分析，需要将钝化层剥掉

原理图：

利用VC分析方法发现孔缺失，进而发下每个PCM结构失效的位置都是同一个位置，从而确认光刻版孔的位置被颗粒沾污，并通过清洗光刻版解决此问题。

恩，今天FA分析就介绍这几个，各位在实践中可以多用用，平时估计SEM，EDX都用的比较多，FIB的VC功能挺好的，可以用用，还有就是有可能需要制备TEM样品，则可以用FIB制样，然后再去做TEM，一般TEM比较贵，可能要外协做的。

ok，今天简单点，就这些内容了，感谢各位的关注；