政策动向|美国迈出在岸电子制造建设战略步伐——《2021年国防授权法案》生效，将激励建立和扩大先进代工厂
编者按：《2021年国防授权法案》(NDAA)在2021年1月1日通过立法程序正式生效，再看看产业界对该法案的一些想法。
观点来源：IEEE Spectrum的资深编辑Samuel K. Moore。
《2021年国防授权法案》(NDAA)着力实现美国半导体制造业复苏，授权为与半导体制造、组装、测试、先进封装或先进研发有关设施的建设或现代化提供数十亿美元的财政支持，还授权进行微电子相关的研发，开发“安全可证明的”微电子供应链，建立国家半导体研究技术中心以帮助新技术进入工业设施，并建立委员会以制定增加先进能力的战略，还批准了量子计算和人工智能计划。
提出背景
法案中的微电子激励措施源于美国官员对中国在全球芯片制造行业中的份额迅速增长的担忧，也源于美国份额缩水。该法案将其定为美国国家安全问题。
尽管中国在芯片制造方面并不占据技术领先地位，但其地理位置靠近拥有先进芯片制造技术能力的地区，这让美国的一些人感到担忧。如今，可提供最先进制造工艺(目前是5纳米节点)的代工厂有韩国三星和台湾地区的台积电，正在为英伟达、AMD、谷歌、Facebook和高通等美国科技巨头制造芯片。多年来，英特尔在制造技术方面一直是其对手，但在工艺方面已经落后。
已有动作
在NDAA发布前，美国已有一些先进晶圆厂建设动作。台积电在2020年5月宣布，计划花费9年、120亿美元在亚利桑那州新建一座5纳米晶圆厂。11月，台积电董事会批准投资35亿美元在该州设立全资子公司，迈出了第一步。
预期效果测算
美国半导体产业协会（SIA）表示，政府的激励措施将加速晶圆厂建设：500亿美元的激励计划将在10年内带来19个新厂，吸引2790亿美元投资；200亿美元的计划将带来14个新厂，吸引1740亿美元投资；如若没有联邦激励措施，将有9个新厂，吸引690亿美元投资。
预期资金拨付
NDAA规定每个项目的上限为30亿美元，除非国会和总统同意拨付更多资金，但实际上支持微电子产能的资金总额将取决于单独的“拨款”法案。
SIA主席、Qorvo公司总裁兼首席执行官和董事Bob Bruggeworth表示：“下一步是政府领导人要为NDAA的国内芯片制造激励措施和研究计划提供充分的资金。”
IEEE的政府关系主任Russell T. Harrison表示，让NDAA的微电子和其他技术的条款获得资金支持将是IEEE USA在2021年的首要任务之一。
法案提交历程
该法案中的半导体战略和投资部分开始时是作为单独法案提交给众议院和参议院。在参议院，被称为《2020年美国代工厂法案》，于7月提交，要求150亿美元用于最先进制造设施的建设或现代化，50亿美元用于研发支出，其中包括20亿美元用于美国国防高级研究计划局（DARPA）的“电子复兴计划”（ERI）。在众议院，该法案被称为《美国CHIPS法案》，于6月份提交，提出了类似的研发投资规模。
在最开始，产业界的一些人认为该方案过于狭隘地集中在前沿硅CMOS上。通过产业界游说国会，该法变得更具包容性，有望支持类似SkyWater公司200毫米晶圆厂设施的扩张。
SkyWater公司政府战略关系总监John Cooney表示，法案后来版本的用语表明，政府‘仍希望追求先进节点，但也明白美国现有制造能力也需要支持并仍能使美国具备竞争力方面发挥很大作用’。
意识到在选举年几乎不可能进行立法，支持者选择将微电子发展诉求隐藏到NDAA中。NDAA法案被认为是一个必须通过的法案，且已经有59年两党连胜的历史。特朗普总统在2020年12月否决了2021NDAA，但国会仍在今年1月初推翻了否决。
产业界的态度
Harrison说：“在过去9个月里，我们越来越多地看到，国会两院两党正在形成共识，即美国需要做更多的工作来促进[国内]技术和技术研究。”
SkyWater公司的Cooney说：“所有这些都是朝着正确方向迈出的一大步，我们真的很兴奋，但这只是成为竞争力的第一步。”
补充信息
美国此举只是全球范围内相关一系列动作中的一个，各国和地区都在寻求建立或恢复芯片制造能力。比利时、法国、德国和其他15个欧盟国家于12月同意共同扶持欧洲的半导体产业，包括向2纳米节点生产迈进，并计划投入1450亿欧元部分（详情参见于此）。