MOS器件的可靠性（1）

今天我们开始介绍MOS器件的可靠性知识，首先我们先简单介绍一下MOS器件可靠性研究的内容范畴，研究的方法，以及可靠性的标准，然后我们先介绍一下氧化层的击穿。

内容提要：

简介：

研究方法：

半导体可靠性评估

栅氧化层作为MOS器件的关键结构，其可靠性问题必然是研究的重点

来看随着有效栅氧厚度的降低，电场增加剧烈

这份资料有点老，但是这个预测的趋势基本符合现在发展的进程，

加速应力实验：

可靠性评估标准

NMOS,PMOS的HCI评估，薄介质层评估，PMOS的NBTI评估。

辐射的影响

其它一些标准

下面我们介绍一下氧化层的击穿：

非本征击穿如何产生以及如何筛选

那么重点来了，以下几种加应力方法需要掌握：

V-Ramp方法：

V-Ramp的测试方法：一般从工作电压或低于工作电压的值线性增加，知道氧化层被击穿为止；

（1）Pre-test:加电压（一般等于Vuse）测试电流，若测试电流大于Iinit，则定义为Initial Fail，若不大于Iinit，则进入到下一步；

（2）V-ramp test：在测试过程中，一般从Vuse线性增加，同时测试电流，电压线性增加到被判定为击穿的标准时（一般是1uA），可进入到下一步；

（3）Post-test：加post test电压（一般等于Vuse）测试电流，其作用是确定氧化层的状态，以确认氧化层是否被击穿。

J-Ramp方法：一般从比较小的电流值开始指数增加，知道氧化层被击穿为止；

（1）Pre-test: 加一电流（如1E-7A）测试电压，若测试电压小于Vuse，则定义为Initial Fail，若不小于Iinit，则进入到下一步；

（2）J-ramp test：在测试过程中，一般从Istart（通常等于Iinit）指数增加，同时测试电压，电流指数增加到被判定为击穿的标准时（如1uA），可进入到下一步；

（3）Post-test：加post test电流（一般等于Iinit）测试电压，其作用是确认氧化层是否被击穿；

Constant current（Bounded J-Ramp）

是电流从较小的值增加到制定的值后，在此电流下待氧化层被击穿为止，这种方法是对V-ramp和J-ramp的结合。

适用的结构如下：

预测的击穿与实际测量结果的对比

好了，今天的内容就是这些，简单的介绍MOS器件可靠性研究的范畴，以及给出其中氧化层可靠性的评估方法，做可靠性的朋友可以对比自己用的方法，是否是其中某一种方法，或者两者的结合，内容不是很复杂，主要是科普式的介绍为主，大家有个概念，以后如果用到可靠性的东西可以知道大致如何测量即可。

恩，那么我们就这样愉快的结束今天的学习吧！