碳化硅（SiC）晶体材料/锗（Ge）晶体材料
碳化硅（SiC）晶体材料主要应用领域1.高频大功率电力电子器件l Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN diodes 、IGBT2.光电子器件：主要应用于GaN/SiC 蓝光LED的衬底材料（GaN/SiC）LED生长方法MOCVD晶体结构六方晶格常数a=3.07 Å c=15.117 Å排列次序ABCACB方向生长轴或 偏<0001> 3.5 º带隙3.02 eV (间接)硬度9.2（mohs）密度3.21g/cm3折射率no=2.55 ne=2.59热传导@300K3 - 5 x 106W/ m介电常数e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33尺寸10x10mm，15x15mm， 20x20mm，Dia50.8mm，Dia76.2mm，Dia102.4mm厚度厚度：0.35mm抛光单面或双面晶向<001>±0.5º晶面定向精度:±0.5°边缘定向精度:2°（特殊要求可达1°以内）斜切晶片可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片Ra:≤5Å（5µm×5µm）锗（Ge）晶体材料用途：制作半导体器件，红外光学器件，及太阳能电池沉底等材料。生长方法提拉法晶体结构立方晶格常数a=5.65754 Å密 度5.323g/cm3熔点937.4℃掺杂物质不掺杂掺Sb掺Ga类型/NP电阻率＞35Ωcm0.01~10Ωcm0.01~10ΩcmEPD＜4×103∕cm2＜4×103∕cm2＜4×103∕cm2尺寸10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客户要求划片厚度0.5mm，1.0mm抛光单面或双面晶向<100>、<110>、<111>、±0.5º晶面定向精度:±0.5°边缘定向精度:2°（特殊要求可达1°以内）斜切晶片可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片Ra:≤5Å（5µm×5µm）相关产品目录：掺铌（Nb）WSe2 二硒化钨晶体掺钼（Mo：25%) WSe2 二硒化钨晶体掺铼(Re) WSe2 二硒化钨晶体WSe2 二硒化钨晶体WS2 二硫化钨晶体SnSe2 硒化锡SnSe 硒化亚锡SnS 硫化亚锡Si2CuP3晶体ReSe2 二硒化铼晶体ReS2 二硫化铼晶体PtTe2晶体PbI2晶体Ni2SiTe4晶体NbTe2 晶体MoWSe4 钼钨硒晶体MoWS2 钼钨硫晶体MoTe2 二碲化钼晶体MoSSe 钼硫硒晶体掺钨(W)MoSe2晶体 二硒化钼晶体掺铁(Fe)MoSe2晶体 二硒化钼晶体掺钽(Ta)MoSe2晶体 二硒化钼晶体掺镍(Ni)MoSe2晶体 二硒化钼晶体掺铌(Nb)MoSe2晶体 二硒化钼晶体掺铼(Re)MoSe2晶体MoSe2 二硒化钼晶体掺铌(Nb)MoS2 二硫化钼晶体MoS2 二硫化钼晶体>10、25、100平方毫米In2Se3晶体In2P3Se9 晶体HfTe5晶体HfTe2 碲化铪晶体HfSe2 硒化铪晶体HfS2 硫化铪晶体GeSe 硒化锗晶体GaTe晶体GaSe 硒化镓晶体Fe3GeTe2晶体CuS 晶体CdI2晶体>10平方毫米BiTe晶体>10平方毫米BiSe 晶体硫化铋 Bi2S3 晶体Bi2O2Te 晶体AgCrSe2晶体hBN 六方氮化硼晶体yyp2021.119