超薄栅氧化层击穿：缺陷产生的物理模型和寿命预测

今天的内容不少，不过有过去重复的内容，比如超薄氧化层击穿的几种模型，前面也有提到过，这次角度不同，大家可以进一步深化理解。

缺陷产生的物理模型：氢释放模型，阳极空穴注入模型，热化学模型

氢释放模型发展过程：

氢释放模型示意图：即热载流子作用到Si-O键上，打破弱键，使硅多余一个电子没有原子与之发生公假配对，同时氧与氢结合，导致氧出现多余电子，两者都相当于SIO2的缺陷。

氢释放模型也可以用如下图表示

阳极空穴注入（AHI）模型--1/E模型

阳极空穴注入模型示意图：高能空穴注入导致SIO2键断裂，形成缺陷

阳极空穴注入模型有很多缺点和不足:

“热化学”模型-E-模型

热化学模型示意图：Si-Si键的存在，以及Si-O键的极性

Si-O键有极性，在外电场下键能改变

其它几种模型简要说明：

E-模型与1/E模型比较：高低场下各自有符合较好的地方

氧化层击穿标准：

临界陷阱密度：

寿命预测模型：

几种Qbd对比：

超薄氧化层击穿的渐进过程：

应力条件对击穿时间的影响：应力越低，击穿时间越长，这个是可以预见的。

击穿后的图片：

软击穿对Gm和VT变化量影响比较小

低应力对Ids影响也比较小

好了，今天的内容到这里就差不多了，内容不少，不过看的多，定性认知是主要，不太需要定量计算，容易理解，也容易明白，有个概念就可以了，以后有机会用的时候再拿出来翻翻也就差不多了。