1.晶体管

分类：晶体管分为PNP和NPN两种
它们所引出的三个电极分别为：基极b、发射极e和集电极c。
发射区和基区间的PN结称为发射结。
基区与集电区间的PN结称为集电极。
如下图1.1所示

图1.1晶体三极管

1.1晶体管的电流放大作用

晶体管的电流放大作用：将输入的任何微小变化不失真地放大输出。

下图1.2所示的为基本放大电路。
输入电压信号，接入基极-发射极回路（回路1），称为输入回路。
放大后的信号在集电极-发射极回路（回路2），称为输出回路。
由于发射极是两个回路的公共端，故称该电路为共射放大电路。
晶体管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。

图1.2基本放大电路

1.2 晶体管的电流分配关系

I_E =I_C+I_B

1.3 晶体管输出特性曲线

从输出特性曲线（图1.3）可以看出，晶体管有三个工作区域：
①截止区：发射结电压小于开启电压，集电结反向偏置。
②放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
③饱和区：发射结和集电结均处于正向偏置。

图1.3晶体管输出特性曲线

1.4晶体管的主要参数

一、直流参数
1.共射直流电流放大系数
2.共基直流电流放大系数
3.极间反向电流：同一型号的管子反向电流越小，性能越稳定

二、交流参数
1.共射交流电流放大系数：该叙述应适中，太小则放大能力不强，太大则温度稳定性差。
2.共基交流电流放大系数
3.特征频率

三、极限参数
极限参数：使晶体管安全工作对它的电压、电流和功率损耗的限制。
1.最大集电极耗散功率：决定晶体管的温升。当散热条件不满足时，允许的最大功耗小于该参数。
2.最大集电极电流
3.极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压称为极间反向击穿电压，超过此值时管子会发生击穿现象。

1.5温度对晶体管特性即参数的影响

2.光电三极管

光电三极管依据光照的强度来控制集电极电流的大小。
其仅引出了集电极和发射极。

光电三极管与普通三极管的输出特性曲线相类似，只是将参考变量基极电流用射入光的强度取代。如图2.1所示。

图2.1 光电三极管的输出特性曲线

模电笔记3 三极管 光电三极管

模电笔记3 三极管