CSE显影技术及工艺设备介绍

显影过程中正胶薄膜结构的形成是通过溶解曝光区域,而负胶显影去除的是未曝光的区域,对于可重复的结果,温度范围在21-23℃误差±0.5°保持。常见的显影方式有:浸没式、喷淋式和搅拌式三种。

最佳显影的时间取决于光刻胶类型、胶厚、曝光波长、烘烤温度和显影的工序,对膜厚小于2um显影时间不大于2min,例如对于浸没或搅动显影的时间范围在20-60s,不要超过120s。膜厚超过10um的胶层需要2-10min,膜厚达到100um的胶厚,显影时间超过60min,更密集的喷淋式显影要求的时间更短。

参数比和敏感度是通过显影液在去离子水中的浓度来确定的。

注:非金属离子显影液比缓冲体系的对稀释更加敏感,这种显影液应该在使用前立即完全稀释,为了保证结果的可重复性,如果可能的话请使用天平。

高浓度显影液:形式上的结果是增加正胶显影液系统的光灵敏度,要求减小曝光能量,减小显影时间,考虑到获得更好的产出率,可能会产生一些不利的影响残膜率以及(在某些条件下)工艺稳定性低(太快)。负胶要求更高的曝光剂量和更高的显影液浓度。

低浓度显影液:提高正胶薄膜获得更高的对比度,减小未曝光区域的腐蚀或者只有部分曝光截面区域有更长的显影时间。这是一种有着特别高的选择性的工作方法,能确保更好的细节表现。

浸没式显影受工艺产出率和从空气中吸入的CO2等条件的限制。工艺产出率取决于部分曝光区域。CO2的吸入也由于频繁打开显影液瓶子导致显影速率的下降,这个影响可通过将显影浴表面置于氮气下来避免。

冲洗/定影

显影完成后应将衬底立即用去离子水冲洗(对应于水溶性碱性显影液),对于使用有机溶剂作为显影液的光刻胶,通常选择对应的定影液将残留的显影液冲洗干净,以避免残余的显影液继续腐蚀光刻胶。

针对客户不同的需求,华林科纳CSE研发了新型六工位旋转显影机。

占地面积为1400×1400×2100(L×W×H)。设备放置在地坪上。

清洗零件最大质量:50Kg/件

清洗工艺流程:人工上料→显影1→显影2→显影3→显影4→显影5→人工下料

设计特点

·设有人机触摸屏控制,方便人工操作、数据调节和产量记录、节拍记录调节。

·采用专用工装,设计为可拆卸式。

·工装的支撑部位采用不锈钢构件,和工件接触部位采用PFA花篮,防止碰伤工件。

·设备采用全自动控制运行,工艺的时间可自由调节。

·设备设有多个紧急停止按扭,防止出现特别事件的非常停机。

·从使用安全方面考虑,设备内部使用380V、220V电压控制,人工操作部分一律使用24V安全电压!

·显影腔室尺寸:300×320×260(L×W×Hmm)(以实际设计尺寸为准)。在槽内按装硅片挡块 140*75*10(L×W×Hmm)(螺丝固定在槽体并可调节距离)增加刻度尺,方便加液

·设备前中部封板固定方式按装,左右后部封板采用移门方式按装并在最外面的门板上装有把手,设备底部封板采用双开门按装。

·作业过程使用时间控制,工作流程1,上料,旋转工位 下降(传感器按制) 抛动(时间控制)浸泡(工作时间可以设定):上升(传感器)旋转工位(完成一次作业,并计数一次)

·电器和气动元件的选用需满足SDS/D000093-2000《新订设备常用技术标的有关规定》;

·主电控柜采用外部断电式空开,以增强设备使用安全。

·配有独立的配电柜,电路方面进行功能分块强电、弱电分块,以便维护。(电柜与主机隔房放置,中间线长10米,控制线采用航插联接。电机与控制线在电柜内联接。

·设备的主机、附件及所有附属设施应采取设备安全防护措施,具有意外断气、断电维持工作构件正确位置等安全保护措施及装置。

.....

(0)

相关推荐

  • Lift off光刻胶(KXN5735-LO/LOL2000/3000/ROL-7133)

    Lift off光刻胶型号光源类型分辨率厚度(μm)适用范围KXN5735-LOg/h/i-Line负性4μm2.2-5.2负性光刻胶;倒角65-80°,使用普通正胶显影液显影.LOL2000/300 ...

  • 光刻工艺的介绍1-金锄头文库

    <光刻工艺的介绍1>由会员分享,可在线阅读,更多相关<光刻工艺的介绍1(51页珍藏版)>请在金锄头文库上搜索. 1.光刻工艺介绍1,General Photolithograp ...

  • 半导体行业无不重要步骤--显影也是成败的关键

    今天要简单谈一谈光刻步骤中的显影. 通过显影液将可溶解的光刻胶溶解掉就是光刻胶的显影,前面讲到过正胶和负胶的概念,正胶显影液去除的是曝光过的部分光刻胶,负胶则是去除的是没有曝光的显影液区域.常规I-l ...

  • 光刻胶均可以用于液晶平板显示(4-乙酰氧基苯乙烯,1,3-金刚烷二醇单丙烯酸酯,2-甲基-2-金刚烷醇丙烯酸酯)

    随着IC集成度的提高,世界集成电路的制程工艺水平按已由微米级.亚微米级.深亚微米级进入到纳米级阶段.集成电路线宽不断缩小的趋势,对包括光刻在内的半导体制程工艺提出了新的挑战.在半导体制程的光刻工艺中, ...

  • SILAC技术的原理介绍

    10年前,SILAC诞生于南丹麦大学.它的***是Matthias Mann教授.2005年,这位牛人教授来到了德国慕尼黑的马普生物化学研究所.SILAC的全名为stable-isotope labe ...

  • PCR技术发展历史介绍

    分子生物学技术正以惊人的速度发展,特别是近20年来已经成为生命科学的一个主要的生长点.1976年cDNA克隆技术的建立,使分子生物学更加迅速广泛地渗透到医学各学科,发展了各学科的分子理论基础.1985 ...

  • PCR Array技术原理详细介绍

    PCR Array 技术原理: PCR Arrays是分析一组特定基因表达的可靠工具,引物经过优化.每个96孔板.384孔板PCR Array都包含SYBR® Green优化的引物分析,可对相关的通路 ...

  • 焦炉煤气制LNG工艺技术及设备介绍

    LNG即液化天然气的英文((LiquefiedNatural Gas)缩写.天然气是在气田中自然开采出来的可燃气体,主要成分由甲烷组成.LNG是通过在常压下气态的天然气冷却至-162℃,使之凝结成液体 ...

  • 2020低代码技术体系发展介绍

    导语 2020年如期而至,2020是新十年的开始,新十年的命运是谁都猜得到的.但到2020年,软件世界将发生重大变化,这将彻底改变企业及其客户.开发人员和员工体验技术的方式.软件技术将变得更容易获得, ...

  • 基因敲除/敲降技术的详细介绍

    高通量筛选锁定目标基因(gene,mRNA,miRNA,lncRNA,circRNA等)后,需要进行功能验证,这其中不得不提的就是目的基因的敲除/敲降,从而直接验证基因的功能. 这里,我们对现阶段比较 ...

  • 细胞基因敲除技术服务详细介绍

    基因功能研究,尤其是在细胞系的基因功能研究,通常是从三板斧开始的,基因干扰.基因过表达.基因敲除,今天我们来讲讲,最耀眼的基因敲除! 想必大家都听过,基因敲除和基因干扰因为很相似,往往被不明就里地混用 ...

  • 光伏发电技术的详细介绍

    光伏发电技术是利用半导体材料的光伏效应将太阳能直接转化为电能的固态发电技术,是太阳能利用的重要形式.近几年来,太阳能以其特有的优势成为各国关注的焦点,尤其是太阳能光伏发电得到了持续应用和发展. 目前, ...

  • 为提高新手的技术,他介绍水管存水弯设计安装要点,徒弟都说实用

    来源:网络 此内容由网友汇总整理,版权归原创者所有 如想撤除,请联系我们