【博文连载】DDR3中的ODT动态模式详解
首先举一个例子：
早期的DDR（注：DDR2开始支持ODT功能），当向内存写入数据时，如果只有一条内存，那么这条内存就自己进行信号的终结，终结电阻等效为150Ω。如果为两条内存，那么他们会交错的进行信号的 终结。第一个模组工作时，第二个模组进行终结操作，等第二个模组工作时，第一个模组进行终结操作，但等效电阻为75Ω。当有三条内存的时候，三条会交替进 行信号终结，但等效电阻为50Ω。对于省略终端电阻的DIMM（因为支持ODT，所以可以省略），也是同样的道理。假设使用同步模式ODT，且终结电阻被设置为150Ω，当向内存写入数据时，如果只有一个内存颗粒，那么这条内存就自己进行信号的终结，终结电阻等效为150Ω。如果为两个内存颗粒，那么他们会交错的进行信号的 终结。第一个内存颗粒工作时，第二个内存颗粒进行终结操作，等第二个内存颗粒工作时，第一个内存颗粒进行终结操作，但等效电阻为75Ω。当有三个内存颗粒的时候，三个会交替进行信号终结，但等效电阻为50Ω。
这样一来，信号完整性就会受到不同程度的影响，为了能够保持等效电阻一致，我们希望ODT的RTT（终结电阻）是可以动态修改的，而不需要每次都要通过MRS Command进行修改。这就是接下来要介绍的动态ODT模式。
当MR2寄存器中的A9和A10位被置位为1，动态ODT模式将会被启用。具体的功能描述如下：
· Two RTT values are available: RTT_Nom and RTT_WR.
– The value for RTT_Nom is preselected via bits A[9,6,2] in MR1.
– The value for RTT_WR is preselected via bits A[10,9] in MR2.
· During operation without write commands, the termination is controlled as follows:
– Nominal termination strength RTT_Nom is selected.
– Termination on/off timing is controlled via ODT pin and latencies ODTLon and ODTLoff.
· When a write command (WR, WRA, WRS4, WRS8, WRAS4, WRAS8) is registered, and if Dynamic
ODT is enabled, the termination is controlled as follows:
– A latency ODTLcnw after the write command, termination strength RTT_WR is selected.
– A latency ODTLcwn8 (for BL8, fixed by MRS or selected OTF) or ODTLcwn4 (for BC4, fixed by MRS
or selected OTF) after the write command, termination strength RTT_Nom is selected.
– Termination on/off timing is controlled via ODT pin and ODTLon, ODTLoff.
需要注意的是，动态ODT并不支持DLL-off模式，用户必须通过设置MR2{A10, A9}={0,0}，来禁用动态ODT功能。
由于时序图比较长，为了防止图像压缩后变得不清晰，所以改成了pdf文件的形式。
异步ODT功能因为使用的频率较低，此处不再详细介绍。