三星量产UFS 2.0闪存模块，三星Note6机身容量可达256GB

三星正式开始大规模生产第一款256GB的UFS 2.0闪存芯片，持续读写分别能够达到850/260 MB/s，4K随机的IOPS值更高达45000和40000，传输效率是上代UFS芯片的两倍。

小米发布会上被称为“黑科技”的UFS 2.0闪存，其实指的是通用闪存2.0规范，意味着读/写速度将会大幅度提升。其实在半年前的魅族Pro 5就已经运用了UFS 2.0闪存。不过三星今天宣布量产全新的UFS 2.0闪存，拥有最高256GB容量。

来自gsmarena的报道，三星正式开始大规模生产第一款256GB的UFS 2.0闪存芯片，不仅容量上有所突破，读写速度更能超过SATA接口的SSD产品。持续读写分别能够达到850/260 MB/s，4K随机的IOPS值更高达45000和40000，传输效率是上代UFS芯片的两倍。

众所周知，三星SSD能实现大容量都得归功给三星的V-NAND技术。而这次能够量产256GB的UFS 2.0芯片，仍然是V-NAND技术的功劳。但如此大容量的闪存模块，传输也需要花费不少时间。为此三星还表示，未来的三星手机将支持USB 3.0接口传输协议。搭配这个新的256GB UFS 2.0芯片，传输1080P的高清电影只需要12s。

三星表示这款新品将会在今年9月份面市，刚刚发布的Galaxy S7和S7 edge自然是没能用上，不过这和三星Galaxy Note 6的发布时间基本吻合，很有可能成为第一款自带移动硬盘的手机。

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