电子小百科 | 晶体管篇之基本参数
关于晶体管ON时的逆向电流
hFE低(正向约10%以下) 耐压低 (7 to 8V 与VEBO一样低)
↑通用TR的情况,除此之外,还有5V以下
(突破此耐压范围,会发生hFE低下等特性的劣化,请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化
关于封装功率容许功
测定VBE的初始值VBE1 对晶体管输入功率,使PN结热饱和 VBE的后续值:测定VBE2
fT:增益带宽积、截止频率
所谓极限,即基极电流对集电极电流的比为1(即hFE=1)的情况。
这时,hFE为1时的频率叫做fT(增益带宽积)。
fT指在该频率下能够工作的极限值。
但是,实际使用时能够动作的只有fT值的1/5 to 1/10左右。
f:根据测定装置而定。为测定的标准频率。
VCE:任意设定。我公司为一般值。
IC:任意设定。我公司为一般值。
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