东芝也宣布了96层的QLC闪存，单芯片就有2.66TB

上午在西数宣布96层QLC闪存出样的新闻中还在猜东芝官方什么时候发新闻，实际上东芝公司今天也一样发了96层堆栈BiCS 4技术的QLC闪存，闪存技术规格跟西数QLC闪存是一样的，也是1.33Tb核心容量，不过双发的进度、目标不同，东芝预计在9月份才开始出样给客户，2019年量产，目前已经开发出了单芯片2.66TB的硬盘原型。

东芝是NAND闪存的发明人，还是最早开发3D NAND闪存的，同时也是闪存芯片公司中第一个讨论QLC闪存的，这点倒是不假，首次公开研发QLC闪存的厂商就是东芝，三星作为全球最大的NAND厂商在TLC闪存上先吃了螃蟹，但在QLC闪存三星倒是很低调，前不久量产的第五代V-NAND闪存还是TLC类型的，三星只是表态称后续会有QLC闪存及1Tb核心容量的闪存。

东芝的QLC闪存规格西数的是一样——准确来说是西数的QLC闪存跟东芝一样的，使用的都是东芝的BiCS 4技术，96层堆栈。东芝/西数选择的BiCS技术路线跟其他家的NAND闪存都不同，一直以来容量密度都是业界最好水平之一，这次的QLC闪存核心容量是1.33Tb，比之前美光、英特尔公布的1Tb核心大了33%。

基于1.33Tb核心的QLC闪存，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2.66TB，大家还记得东芝之前发布的RC100系列硬盘吗，它使用的就是单芯片封装，一颗闪存最大容量才480GB，现在QLC闪存的帮助下单芯片封装实现了2.66TB的容量，是之前的5倍多。

在上市进度方面，西数那边是已经出样，今年量产，首发于闪迪SSD硬盘中，但东芝这边要比西数慢一些，今年9月份才开始出样给SSD硬盘及主控厂商，用于评估及开发，2019年才开始批量生产。不过今年8月份的FMS 2018闪存峰会上，东芝将会展示首个QLC封装原型。