EN-1230A SiC器件动态参数测试系统
1、概述
该套测试设备主要由以下几个单元组成：
Ø 开关特性测试单元
Ø 反向恢复测试单元
Ø 栅极电荷测试单元
Ø 安全工作区测试系统
Ø 结电容测试单元
Ø 栅极内阻测试单元
Ø 雪崩耐量测试单元
2、技术条件
2.1、功能范围
可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、雪崩耐量进行测试。
2.2、环境要求
Ø 环境温度：15—40℃
Ø 相对湿度：存放湿度不大于70%
Ø 大气压力：86Kpa—106Kpa
Ø 电网电压：AC220V±10%无严重谐波
Ø 电网频率：50Hz±1Hz
Ø 电源功率：20KW
Ø 供电电网功率因数：＞0.9
Ø 气源要求：≥0.6Mpa
Ø 无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害。
2.3、主要技术指标
设备技术指标要求如下：
1、（阻性/感性）开关测试单元
· 漏极电压测试范围：5V-1500V，5V-100V，步进0.1V，
100V-1500V，步进1.0V；
· 漏极电流测试范围：1A-300A，分辨率1A；
· 栅极驱动：±30V，分辨率0.1V；
· 最大栅极电流：2A；
· 最大脉冲电流：300A；
· 电源电压（VDD）：5V-100V，步进0.1V，
100V-1500V，步进1.0V。
· 脉冲宽度：1us-100us,步进0.1us
· 时间测试精度：1ns；
· 感性负载：0.01mH-160mH程序控制，步进10uH；
· 阻性负载：1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω，程序控制，备用三个电阻，以便使用时选择。
· 开通/关断时间ton/toff：5-10000ns
· 开通/关断延迟td(on)/td(off）：5-10000ns
· 上升/下降时间tr/tf：5-10000ns
最小分辨率1ns
· 开通/关断损耗Eon/Eoff：1-2000mJ
最小分辨率1uJ
2、栅极电荷单元
· 驱动电流：0-2mA，分辨率0.01mA，
2-20mA，分辨率0.1mA；
20mA-200mA，分辨率1mA。
· 栅极电压：±30V，分辨率0.1V；
· 恒流源负载：1-25A，分辨率0.1A，
25-300A，分辨率1A；
· 漏极电压：5-100V，步进0.1V，
100-1500V，步进1.0V。
· 栅极电荷Qg：1nC-100µC
· 漏极电荷Qgs：1nC-100µC
· 源极电荷Qgd：1nC-100µC
· 阈值电荷Qgth：1nC-100µC
最小分辨率1nC
· 平台电压Vgp：-30-0V,分辨率0.1V
0-30V，分辨率0.1V
3、反向恢复测试单元
· 正向电流：1A-25A，分辨率0.1A，
25A-300A，分辨率1A；
· 反向电压：5v-100V，步进0.1V，
100V-1500V，步进1.0v；
· 反向恢复时间Trr：10ns-10000ns，最小分辨率1ns；
· 反向恢复电荷Qrr：1nC-100µC，最小分辨率1nC；
· 反向恢复电流Irm：1A-300A；
· 反向恢复损耗Erec：1-2000mJ，最小分辨率1uJ；
· 电流下降率dif/dt：50-10kA/us；
· 电流恢复率dir/dt：50-5kA/us
· dv/dt：50-10kV/us。
· Ta，Tb，SF(软度因子)
4、反偏安全工作区RBSOA
· 600A(2倍额定电流下，测试期间关断电压、电流)。
5、短路安全工作区SCSOA
· 一次短路电流Isc：1A-1000A，分辨率1A；
· 脉冲宽度5us-10us，步进0.1us。
6、结电容
· 电容测试扫频范围：0.1MHz～1MHz；
· 漏源极电压：200V，分辨率1V。
· Ciss、Coss、Cres
7、栅极电阻
· 栅极电阻范围： 0.1～50ohm；分辨率0.1Ω；
· 漏极偏置电压： 0～1500V；
· 栅极偏置： ±20V。
8、雪崩耐量
· 最大雪崩击穿电压≥2500V；
· 雪崩电流：200A；
· 感性负载：0.01mH～100mH连续可调，步进10μH；
· 可测试单次雪崩、重复雪崩。