并联推挽源极跟随器

图5.7所介绍的功率放大UUC3843BN电路中，当必须的输出电流超过输出级所用MOS-FET的额定值时，如图5.19所示，可以将多个源极跟随器并联接续，由各源极跟随器分散提供电流。
    图5.19的电路只画出了并联推挽源极跟随器的部分。从这种电路中取出的电流可以比图5.7电路中输出电流多2倍。
    源极跟随器并联接续时必须注意的问题是并联接续FET的VGS要一致（图5.19中的Tr1与Tr3、Tr2与Tr4的VG。）。否则的话，就不能从各器件中流过均等的源极电流。特别是由于FET的VG。与晶体管的VBE不同，分散性很大，所以并联接续的FET不仅要求器件VG。的档次相同（功率MOS中不是按照IDSS而是按照VGS分档的），而且必须在mV量级上一致。

而且如图5. 20所示当并联接续的源极跟随器数目较多时，不仅要求VGS -致，还必须强化驱动MOSFET的电路。功率放大用MOSFET的输入电容很大，如果并联接续的器件多，那么用简单的电路就难以驱动MOSFET的输入电容。
    图5.20的电路中，在OP放大器后面插入了射极跟随器以强化对MOSFET的驱动能力。