硒化锌单晶 ZnSe 晶体基片 我们可提供定制
我们可提供晶体基片。HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体>10平方毫米、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体
结构公式：ZnSe
晶体结构：立方
方向：(100)；(110)；(111)±30弧分钟。可根据要求提供其他。
生产方法：马尔可夫
晶格参数，A_a=5.6687
霍尔迁移率，cm2/V/秒：400(E)
低角度边界密度，cm-1：<2
孪晶和叠错：无孪晶
定位精度：最大1°0.5°
标准厚度：0.5毫米或1毫米
抛光：单面或双面抛光光学抛光化学机械
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