建兴T12 256GB固态硬盘评测
建兴最近推出了全新的T12系列M.2 NVMe固态硬盘，提供M.2 2280（T12）、M.2 2242（T12 Plus）和M.2 2230（T12 EVO）三种规格，满足了各种笔记本电脑的安装需求。
T12系列中不同尺寸规格的产品使用相同的硬件方案，在性能上只有比较轻微的差别。本次评测中的数据均来自M.2 2280规格的T12 256GB。
T12在建兴的内部研发代号为CL1，虽然使用了慧荣主控，但固件由建兴编制，不同于市面上的公版方案。慧荣SM2263XT使用四通道、无外置DRAM缓存设计，支持HMB主机内存缓冲特性，需要配合新版本的Windows 10操作系统使用。
通过下图中的对比我们可以看到，T12使用的SM2263XTV封装体积要比常见的SM2263XT小很多，这也是T12能够发展出M.2 2242与M.2 2230规格的原因。除了封装体积上的差异之外，我们没有得到有关SM2263XTV的制程信息。
从侧面可以看到，SM2263XTV上有一个薄薄的金属层，相当于迷你散热片，有助于增强主控的散热能力。
T12 256GB只用了一颗闪存颗粒，编号为TH58LJT1T24BAEF，属于东芝第四代BiCS闪存，96层堆叠设计，使用Toggle 3.0闪存接口，在提升传输带宽的同时降低了读写延迟和功耗。
测试平台
CPU：Intel Core i7 7700K @5GHz
主板：华硕ROG STRIX Z270F Gaming
内存：影驰Gamer II DDR4 3000 8GB*2
硬盘：浦科特M8V 512GB（系统盘）
建兴T12 256G（FW：LTNFW1.0）
系统：Windows 10 Pro 1903
驱动：系统默认stornvme
设定：除特别说明之外，禁用NVMe电源状态转换、禁用ASPM链路节能
CrystalDiskInfo信息识别：
通过AIDA64检测，建兴T12 256GB支持至多64MB容量的HMB主机共享缓存。
通过smi_nvme_flash_id工具识别，T12 256G使用4通道、每通道2CE布局，东芝BiCS4闪存颗粒为8die封装，单die容量256Gb。
通过Smartmontools检测，建兴T12具备5种电源状态，最高功耗3.5瓦，最低活动状态功耗1.65瓦，节能状态最低功耗0.005瓦。
由于前三个电源状态的进入和退出延迟均为0，根据Windows 10默认的电源计划设定，T12在台式机平衡及节能电源设定之下均能进入到PS3电源状态，有助于改善使用中的温度表现。
基准测试
基准测试1：CrystalDiskMark测试
通过CrystalDiskMark测试可以看到，T12 256GB的理论带宽基本符合建兴标称值。
改变CrystalDiskMark的测试设定可以发现，T12可以从多核CPU中受益。
基准测试2：PC Mark 7测试
基准测试3：PCMark 8测试
T12使用搭载建兴固件的SM 2263XT方案，性能表现基本介于群联PS5008-E8与PS5012-E12方案之间。由于无需额外的DRAM缓存芯片，建兴T12可以提供更高的性价比表现。
基准测试4：SLC Cache测试
T12使用了一种不同于以往的SLC缓存策略。在空盘以及填充半盘数据后，T12 256GB的SLC缓存容量都在9GB左右，缓存使用的闪存空间超过了OP容量上限，但同时也并非全盘SLC。缓存外的写入速度有一些波动，或许与它的无外置缓存设计有关。
在盘内使用空间128GB的情况下，T12 256GB的随机读取性能会有明显的下滑，这应该是HMB提供的64MB容量无法覆盖管理全部闪存空间所致。FTL闪存映射表在NAND闪存与缓存之间的交换影响到了随机读取效率。
半盘填充情况下的PCMark 7及PCMark 8存储测试成绩均有不同程度的下滑。
不过从PCMark 8成绩来看，即便在这种不利情况之下建兴T12依然展现出了一颗中端NVMe固态硬盘应有的性能，相比部分Realtek和Marvell入门级主控的表现要好得多。
基准测试5：发热与限速测试
这个测试的目标是检验温控限速机制，所以禁用了ASPM及APST节能机制。室温23度条件下，建兴T12 256GB的待机温度为35度。
通过IOMeter建立8GB大小的测试文件，使用128KB QD32顺序读取产生可持续稳定的负载压力。建兴T12的温控机制会将其温度控制在80度以内。
由于主控为节能型设计，再加上固态硬盘的读取功耗通常低于写入功耗，所以限速动作并不明显，整体性能保持较好。
进阶测试
进阶测试项目1：随机读写理论测试
这个测试是以IOMeter脚本执行的，从图中我们能够看到NVMe SSD随队列深度而增加的4K随机存取效能。由于256GB版本容量较小，高队列深度的随机写入有一点波动，对日常使用基本无影响。
进阶测试项目2：4KB QD32 随机写入离散度测试
无文件系统下使用IOMeter进行128K QD32持续写入半小时，空闲15分钟后改用4K QD32随机写入5000秒并每秒记录。
128K QD32持续写入过程：SLC缓存内顺序写入约1188.3MB/s，缓存外平均写入速度129.3MB/s，波动较大。
4K QD32随机写入5000秒：由于DRAM-Less方案的固有影响，离散成绩不理想也是正常的，家用电脑系统盘通常不会遇到这样的问题。
最后500秒平均写入IOPS：1193
进阶测试项目3：PCMARK 8扩展存储测试之性能一致性部分（稳定态家用环境性能）
这个测试主要是给家用最恶劣环境下的性能参考（全盘不留任何剩余空间，禁用了Windows文件系统缓存跑纯RAW模式）。
从硬件方案来说，建兴T12更适合作为以读取为主的系统和游戏盘使用。
总结：
当前固态硬盘的主控开始趋于大同，但建兴T12这样的产品依然能够为我们带来差异化的选择。无论是东芝原厂闪存，还是定制化的固件设计，这些都不同于市面上泛滥的纯公版产品。
相比更加昂贵的高端NVMe固态硬盘，建兴T12所采用的SM2263XT主控拥有成本优势，能够在中小容量上提供更具性价比的选择。T12系列全部使用单面PCB设计，照顾到了轻薄笔记本安装所需。此外，T12 Plus的M.2 2242、T12 EVO的M.2 2230规格还填补了当前的市场空缺。
对于台式机来说，建兴T12也可以作为SATA固态硬盘之外的高速系统盘使用，进一步丰富电脑存储的高低搭配形式。特别是AMD平台用户，还可以考虑选择256GB容量的T12来组建StoreMI分层存储：这个容量恰好能够充分利用StoreMI对加速盘的容量限制。
前言和拆解
建兴最近推出了全新的T12系列M.2 NVMe固态硬盘，提供M.2 2280（T12）、M.2 2242（T12 Plus）和M.2 2230（T12 EVO）三种规格，满足了各种笔记本电脑的安装需求。
T12系列中不同尺寸规格的产品使用相同的硬件方案，在性能上只有比较轻微的差别。本次评测中的数据均来自M.2 2280规格的T12 256GB。
T12在建兴的内部研发代号为CL1，虽然使用了慧荣主控，但固件由建兴编制，不同于市面上的公版方案。慧荣SM2263XT使用四通道、无外置DRAM缓存设计，支持HMB主机内存缓冲特性，需要配合新版本的Windows 10操作系统使用。
通过下图中的对比我们可以看到，T12使用的SM2263XTV封装体积要比常见的SM2263XT小很多，这也是T12能够发展出M.2 2242与M.2 2230规格的原因。除了封装体积上的差异之外，我们没有得到有关SM2263XTV的制程信息。
从侧面可以看到，SM2263XTV上有一个薄薄的金属层，相当于迷你散热片，有助于增强主控的散热能力。
T12 256GB只用了一颗闪存颗粒，编号为TH58LJT1T24BAEF，属于东芝第四代BiCS闪存，96层堆叠设计，使用Toggle 3.0闪存接口，在提升传输带宽的同时降低了读写延迟和功耗。
测试平台
CPU：Intel Core i7 7700K @5GHz
主板：华硕ROG STRIX Z270F Gaming
内存：影驰Gamer II DDR4 3000 8GB*2
硬盘：浦科特M8V 512GB（系统盘）
建兴T12 256G（FW：LTNFW1.0）
系统：Windows 10 Pro 1903
驱动：系统默认stornvme
设定：除特别说明之外，禁用NVMe电源状态转换、禁用ASPM链路节能
CrystalDiskInfo信息识别：
通过AIDA64检测，建兴T12 256GB支持至多64MB容量的HMB主机共享缓存。
通过smi_nvme_flash_id工具识别，T12 256G使用4通道、每通道2CE布局，东芝BiCS4闪存颗粒为8die封装，单die容量256Gb。
通过Smartmontools检测，建兴T12具备5种电源状态，最高功耗3.5瓦，最低活动状态功耗1.65瓦，节能状态最低功耗0.005瓦。
由于前三个电源状态的进入和退出延迟均为0，根据Windows 10默认的电源计划设定，T12在台式机平衡及节能电源设定之下均能进入到PS3电源状态，有助于改善使用中的温度表现。
基准测试
基准测试1：CrystalDiskMark测试
通过CrystalDiskMark测试可以看到，T12 256GB的理论带宽基本符合建兴标称值。
改变CrystalDiskMark的测试设定可以发现，T12可以从多核CPU中受益。
基准测试2：PC Mark 7测试
基准测试3：PCMark 8测试
T12使用搭载建兴固件的SM 2263XT方案，性能表现基本介于群联PS5008-E8与PS5012-E12方案之间。由于无需额外的DRAM缓存芯片，建兴T12可以提供更高的性价比表现。
基准测试4：SLC Cache测试
T12使用了一种不同于以往的SLC缓存策略。在空盘以及填充半盘数据后，T12 256GB的SLC缓存容量都在9GB左右，缓存使用的闪存空间超过了OP容量上限，但同时也并非全盘SLC。缓存外的写入速度有一些波动，或许与它的无外置缓存设计有关。
在盘内使用空间128GB的情况下，T12 256GB的随机读取性能会有明显的下滑，这应该是HMB提供的64MB容量无法覆盖管理全部闪存空间所致。FTL闪存映射表在NAND闪存与缓存之间的交换影响到了随机读取效率。
半盘填充情况下的PCMark 7及PCMark 8存储测试成绩均有不同程度的下滑。
不过从PCMark 8成绩来看，即便在这种不利情况之下建兴T12依然展现出了一颗中端NVMe固态硬盘应有的性能，相比部分Realtek和Marvell入门级主控的表现要好得多。
基准测试5：发热与限速测试
这个测试的目标是检验温控限速机制，所以禁用了ASPM及APST节能机制。室温23度条件下，建兴T12 256GB的待机温度为35度。
通过IOMeter建立8GB大小的测试文件，使用128KB QD32顺序读取产生可持续稳定的负载压力。建兴T12的温控机制会将其温度控制在80度以内。
由于主控为节能型设计，再加上固态硬盘的读取功耗通常低于写入功耗，所以限速动作并不明显，整体性能保持较好。
进阶测试
进阶测试项目1：随机读写理论测试
这个测试是以IOMeter脚本执行的，从图中我们能够看到NVMe SSD随队列深度而增加的4K随机存取效能。由于256GB版本容量较小，高队列深度的随机写入有一点波动，对日常使用基本无影响。
进阶测试项目2：4KB QD32 随机写入离散度测试
无文件系统下使用IOMeter进行128K QD32持续写入半小时，空闲15分钟后改用4K QD32随机写入5000秒并每秒记录。
128K QD32持续写入过程：SLC缓存内顺序写入约1188.3MB/s，缓存外平均写入速度129.3MB/s，波动较大。
4K QD32随机写入5000秒：由于DRAM-Less方案的固有影响，离散成绩不理想也是正常的，家用电脑系统盘通常不会遇到这样的问题。
最后500秒平均写入IOPS：1193
进阶测试项目3：PCMARK 8扩展存储测试之性能一致性部分（稳定态家用环境性能）
这个测试主要是给家用最恶劣环境下的性能参考（全盘不留任何剩余空间，禁用了Windows文件系统缓存跑纯RAW模式）。
从硬件方案来说，建兴T12更适合作为以读取为主的系统和游戏盘使用。
总结
当前固态硬盘的主控开始趋于大同，但建兴T12这样的产品依然能够为我们带来差异化的选择。无论是东芝原厂闪存，还是定制化的固件设计，这些都不同于市面上泛滥的纯公版产品。
相比更加昂贵的高端NVMe固态硬盘，建兴T12所采用的SM2263XT主控拥有成本优势，能够在中小容量上提供更具性价比的选择。T12系列全部使用单面PCB设计，照顾到了轻薄笔记本安装所需。此外，T12 Plus的M.2 2242、T12 EVO的M.2 2230规格还填补了当前的市场空缺。
对于台式机来说，建兴T12也可以作为SATA固态硬盘之外的高速系统盘使用，进一步丰富电脑存储的高低搭配形式。特别是AMD平台用户，还可以考虑选择256GB容量的T12来组建StoreMI分层存储：这个容量恰好能够充分利用StoreMI对加速盘的容量限制。