关于STM32像EPROM一样可以单字节写内部Flash的理解
都有说STM32的内部Flash可以像EPROM一样操作，单个字节单个字节的写入。根据本人的拙见，其实也就仅仅是“像”而已。原因有以下几点：
1.首先Flash这种东西，其写入数据的原理是便是将1变成0，所以你的某地址Flash一旦已经写过数据而且不为0，则当你再次需要向该地址写数据时，必须要先擦除，即把该地址先全部变成1，否则你将数据写入该地址后，基本上该地址里面的值已经不是你写入的值了。
2.STM32对内部Flash有页（1k或者2K）擦除指令，也就是STM32不能单独对某一个或者某几个字节进行擦除。而擦除操作并不需要大量内存。
3.如果要像EPROM一样操作Flash，其原理是先把该一页里面的数据全部读到一个buf里面，如果你希望整页的数据不丢失，那么buf的大小至少应该和页大小一样，即为1K或者2K（大小视MCU型号而定）。然后对整页进行擦除，再把要写入的数据先写到之前的buf里面（用要写入的数据替换buf里相应位置的原来的数据），再把整个buf写到Flash里面。如此便实现了任意数据长度的数据写入Flash。
4.正如第3点，如果你跑的是系统，诸如（UCOS，RTX，FRERTOS）等，那么你进行此操作的task的堆栈至少应该为1K+N或者2K+N。否则直接堆栈溢出而进hard fault。我想这是我们大家所不能忍受的。
当然，对于上述问题有一些变通的方法，如果你要写入的数据比较少，比如几十个Byte，那么你可以将buf改小，只要大于等于你要保存的数据数量就可以了，这样便可以大大减小内存。另外，STM32支持字（4Byte）或者半字（2Byte）写入，所以你的buf应该为偶数。如果你要写入的数量为奇数，buf也应该为偶数，不足的在buf里补0或任意一个数就好。因为，如果你的buf为奇数的话，在写入最后一个数据时，系统会在内存中随便抓一个地址里的数据，写进去，这可能出问题。（究竟有没问题我没有试过）。