锗（Ge）用途\主要性能参数介绍
锗（Ge）
用途：制作半导体器件，红外光学器件，及太阳能电池衬底等材料。
主要性能参数
生长方法提拉法
晶体结构立方
晶格常数a=5.65754 Å
密 度5.323g/cm3
熔点937.4℃
掺杂物质不掺杂掺Sb掺In或Ga
类型/NP
电阻率＞35Ωcm0.05Ωcm0.05~0.1Ωcm
EPD＜4×103∕cm2＜4×103∕cm2＜4×103∕cm2
尺寸10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
厚度0.5mm，1.0mm
抛光单面或双面
晶向<100>、<110>、<111>、±0.5º
晶面定向精度:±0.5°
边缘定向精度:2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:≤5Å（5µm×5µm）
供应产品目录：
Ta2NiSe5晶体Ta2NiSe5 crystals
PbSnSe2晶体PbSnSe2 crystals
CuIn7Se11晶体CuIn7Se11 crystals
ZrSe3 三硒化锆晶体ZrSe3 crystals
ZrSe2 二硒化锆晶体ZrSe2 (Zirconium Selenide)
WTaSe2 钨钽硒晶体WTaSe2 crystals
WSe2 二硒化钨晶体WSe2 crystals
VSe2 硒化钒晶体VSe2 crystals
TiSe2 硒化钛晶体TiSe2 crystals
TaSe2(2H) 硒化钽晶体TaSe2(2H) crystals
SnSe2 硒化锡晶体SnSe2 crystals
SnSe 硒化亚锡晶体SnSe crystals
ReSe2 二硒化铼晶体ReSe2 crystals
PdSe2 二硒化钯晶体PdSe2 Crystals
NbSe2-2h 二硒化铌晶体NbSe2-2h crystals
MoWSe2 钼钨硒晶体MoWSe2 crystals
MoSSe 钼硫硒晶体MoSSe crystals
MoSe2 二硒化钼晶体MoSe2 crystals
MnPSe3 晶体MnPSe3 crystals
InSe 硒化铟晶体InSe crystals
In2Se3晶体In2Se3 crystals
HfSe2 硒化铪晶体HfSe2 crystals
GeSe 硒化锗晶体GeSe crystals
GaSe 硒化镓晶体GaSe crystals
FePSe3 晶体FePSe3 crystals
Bi2Se3 硒化铋晶体Bi2Se3 crystals
Bi2O2Se晶体Bi2O2Se crystals
TiSe2 二硒化钛晶体(Titanium Diselenide)
TaSe2 二硒化钽晶体(Tantalum Diselenide)
ZrSe3 三硒化锆晶体Sb2Se3 Diselenide
Sb2Se3 硒化锑晶体(Antimony selenide)
yyp2021.6.23