北京交通大学黄先进、李鑫 等:基于量化电压并行比较的IGBT状态监测保护电路

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团队介绍

黄先进

北京交通大学电气工程学院,副教授,博士生导师。IEEE会员,中国电源学会高级会员。主要从事半导体器件驱动保护应用技术,变流器控制与设计技术,变流系统的温升与热场分析设计等研究。主持或参加多项国际合作项目、北京市科委研究项目以及国家重点研发计划。发表SCI/EI检索论文多篇,授权专利多项。

李鑫

北京交通大学电气工程学院,硕士研究生,主要研究方向为 IGBT 驱动保护电路。

相比于传统门极驱动电路,新一代IGBT驱动电路集成功率放大、故障识别与状态监测等功能,不但能够保证功率器件可靠安全运行,还能够对其开通、关断运行状态进行全面监测,从底层对IGBT变流器运行维护提供保障。本文提出一种基于量化电压并行比较的IGBT状态监测保护电路,通过设定量化电压,将状态参数的检测值进行量化,利用逻辑输出判断IGBT模块的健康状态,实现对IGBT模块运行生命周期的预测。

项目研究背景

作为电力电子装置的功率电路与控制电路之间的接口,IGBT驱动电路与功率器件正常可靠工作及系统的安全稳定运行密不可分。通过门极驱动电路进行状态监测与保护是目前能够对IGBT模块实现故障诊断最快的方法。但IGBT模块通常采用密闭封装,无法开封放入测量装置,使得状态监测遇到较大阻碍。

已有研究表明,随着IGBT模块的逐渐老化,其外部特性参数会呈现出一定的变化趋势,能够反映出器件的老化水平。因此,通过驱动电路监测相关状态参数,对当前运行状态进行判断,能够为IGBT的老化失效与健康管理奠定研究基础。

论文所解决的问题及意义

本文提出一种基于量化电压并行比较的IGBT状态监测保护电路,通过设定量化电压,将状态参数的检测值进行量化,利用逻辑输出判断IGBT模块的健康状态。

构建多芯片并联封装IGBT模块的等效电路模型,分析模块内部寄生参数对饱和导通压降Vce(sat)、短路电流Isc、开通延迟时间tdon及门极峰值电流Igpeak等状态参数的影响,并根据其变化范围构建IGBT模块的全寿命安全工作区,为量化电压的设定提供依据。以Vce(sat)与tdon作为检测信号,通过量化电压并行比较的方法实时监测并辨别短路故障与老化程度,从而保护IGBT模块,提高器件运行可靠性。

论文方法及创新点

如图1所示,为多芯片并联封装IGBT模块的等效电路,将寄生参数改变、芯片开路故障两种情况作为键合线老化脱落的标准,对饱和导通压降Vce(sat)、短路电流Isc、开通延迟时间tdon及门极峰值电流Igpeak等状态参数进行定量分析。

根据理论推导与仿真分析,随着IGBT模块内部键合线逐渐老化脱落,饱和导通压降Vce(sat)逐渐增大,短路电流Isc与门极峰值电流Igpeak均呈现出下降趋势,而开通延迟时间tdon有所不同,当键合线脱落导致寄生参数改变时,tdon会增大,当键合线脱落导致芯片开路故障时,tdon则会减小,如表1所示。此外,相比于寄生参数改变,当模块内部发生芯片开路故障时,各状态参数的变化较大。

图1 多芯片并联IGBT模块等效电路

表1 不同老化情况下的状态参数变化趋势

因此,利用IGBT模块内部发生开路故障的芯片数量表征其老化程度,并分为正常状态,老化早期、老化晚期与临界失效四种,各状态参数从IGBT模块正常状态至临界失效的变化范围共同构成全寿命安全工作区。

相比于正常状态,随着IGBT模块老化程度不断加深,各状态参数的变化也会逐渐增大。当其处于临界失效时,各状态参数发生最大范围改变。不同老化程度下的各状态参数可利用输出特性曲线、短路特性及内部寄生参数计算获得,以上条件均可通过查询相应型号IGBT模块的数据手册获得。

如图2所示,为状态监测电路示意图,选取Vce(sat)、tdon作为采集对象,根据全寿命安全工作区设定多个量化阈值,其中Vref1~Vref3为Vce(sat)的状态监测阈值,Vref5为tdon的结束判别阈值,Vref4、Vref6为短路故障检测阈值。

与Vce(sat)状态监测不同,tdon状态监测需要通过软件编程实现延时测量与状态监测。利用Vce(sat)及tdon检测电路,将状态参数的检测值与设定阈值相比较,使得IGBT驱动电路能够对模块的老化情况进行实时监测、识别与警告。

为了验证状态监测方案的可行性,利用Pspice搭建相应的电路模型,通过逐渐增大负载电流模拟饱和导通压降Vce(sat)不断上升的趋势,仿真波形如图3所示,验证该方法的正确性与可行性。

图2 状态监测电路

图3 Vce(sat)状态监测仿真波形

结论

本文提出了一种基于量化电压并行比较的IGBT状态监测保护电路,并通过Pspice仿真验证了该方法的可行性。通过理论分析与仿真验证,Vce(sat)、短路电流Isc、开通延迟时间tdon及门极峰值电流Igpeak等状态参数随着IGBT模块老化程度的不断加深会呈现相应的变化趋势,并构成相应的全寿命安全工作区。

以IGBT驱动电路为基础,针对Vce(sat)及tdon等状态参数设定多个量化阈值并实时监测,根据比较电路的逻辑输出来判断IGBT模块的老化程度,对其可靠性研究具有参考意义。

引用本文

黄先进, 李鑫, 刘宜鑫, 王风川, 高冠刚. 基于量化电压并行比较的 IGBT 状态监测保护电路[J]. 电工技术学报, 2021, 36(12): 2535-2547. Huang Xianjin, Li Xin, Liu Yixin, Wang Fengchuan, Gao Guangang. Condition Monitoring and Protection Circuit for IGBTs Based on Parallel Comparison Methods of Quantized Voltages[J]. Transactions of China Electrotechnical Society, 2021, 36(12): 2535-2547.

DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L90451

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