【博文精选】i.MXRT1050常用厂家QSPI Flash Keil下Flash烧写算法（附源码）
几个月没更新博客了，也好久没在高铁上抽空写篇文章了，一晃工作恰好迈过五年的坎（最近开始忧虑即将到来的中年危机，哎），博客竟然也写了7年多（当年在实验室第一次落笔写第一篇博客时真心没想到这一写就是7年）。不过最近这几年工作节奏不断加快，文章的出产率的确有点低（以前1个月写的就可以够现在憋一年的了，哈哈），工作、生活、家庭的琐事让静下心来思考的时间少了，总结梳理文章的机会自然也少了，这是一种妥协？估计是吧，不过俺的初心不变哈，毕竟我是和AET，也是和广大博友们确认过眼神的，呵呵。。。
本来这篇文章早就应该在上两篇文章写完之后一鼓作气搞出来的，也答应了博友赶紧写出来，结果事情太多竟然拖到现在也是心中惭愧的很，更无奈的是本想趁着上周修病假的时候写上个几篇一吐为快，结果修了个假竟然比不修时还忙，也是醉了。这次趁着去苏州出差，难得的高铁时刻硬是让俺文思泉涌啊，所以赶紧拿起电脑，时不我待，不然等车到站了又该做好一阵心理斗争了，哈哈。前段时间我真是花了好多心思在i.MXRT的QSPI Flash上了，仔细钻研了一番（包括前两篇已经写出来的QSPI启动和在线擦写），没办法，谁让咱家这颗片子不带内部Flash呢，所以本篇就重点说说我们在Keil下针对常用厂家的几种QSPI Flash型号的烧写算法(IAR的源码比较简单而且NXP官网也放出了修改后的源码，所以这里就不提了)，这也是目前很多RT用户迫切想要的，当然我也看见有不少第三方甚至用户自己已经针对正在使用的QSPI Flash型号开发了算法，不过实际上用起来还是有不少tips需要注意，下面我就说一说侃一侃，各位看官，咱们走起：
1.首先我觉着先有必要吐槽一下各家QSPI Flash的兼容性问题，虽然大家都号称符合JEDEC框架下的标准（实际上的确是大多数常用的读擦写命令是一样的），但是作为QSPI Flash最关键的‘Q’即4线使能位QE竟然不同家的Flash所在的寄存器位置是不一样的（更过分的，GD家竟然自家不同电压等级的Flash使能QE位的命令不一样，汗啊，博客里不支持微信表情包，不然我真想挂上一个捂眼睛的那个表情，呵呵），我们知道默认所有家的QSPI Flash是只能用单线和双线SPI模式的，如果要用4线SPI模式则需要先置位SPI Flash内部状态寄存器里面的QE位（QE默认为0，即单线或双线模式）才可以让Flash接收4线SPI的命令，所以两个问题就来了，第一个问题是开发环境下的Flash烧写算法需要适配不同家的Flash就需要根据不同的Flash写不同位置的QE位，第二个问题是QE位是不是每次下载都要写一次，如果是那RT岂不是启动的时候也需要手动去写它？见如下2、3点介绍；
2.针对需要考虑的第一个问题，我下面列出了几家常用厂家的QSPI Flash的spec，可以看到这几家的QE位都是不一样的，尴尬不尴尬，尤其要提的是GD的QSPI Flash 1.8v和3.3v虽然QE的位置是一样的，但是写状态寄存器的命令是不一样的（3.3v需要专门的0x31命令单独写S2的8位寄存器才能行，而1.8v的直接用0x01可以连续写S1和S2 16位状态寄存器就可以了）
ISSI 1.8v/3.3v QSPI Flash
GD 3.3v QSPI Flash
Winbond 1.8v/3.3v and GD 1.8v QSPI Flash
3.针对上面要考虑的第二个问题，手册里有一点写的比较明确，即QE位是非易失位（non-volatile，你可以理解它是写到内部某个专门的Flash区的，上电后load到状态寄存器里），也就是说实际上我只要写一次QE位即可，不需要每次下载代码的时候都去骚扰它，更何况它还禁不住骚扰（如果是非易失位，可以理解成都是有擦写寿命的，所以没事不用老碰它），所以在写Flash算法的时候最好还要加个判断，即如果QE位为0则写1，如果已经是1了就不写它了，节省擦写寿命；
4.为啥为QE位操这么多心呢，实际上也是为了最大化我们RT的性能，如果我们的代码太大，只能以XIP的形式跑在QSPI Flash里，当然是4线启动的方式最好了（四条腿怎么也比单条腿或者两条腿跑的快），不过这里还需要提的一点是实际上Flash算法里面在擦写Flash的时候我还是用的单线模式（擦写Flash不需要那么快的速度，只需要稳定可靠的把代码写进去就完了），而是擦写完之后把QE位置位以便RT复位或者重新上电开始执行后可以正常的以4线去启动，另外也不用担心我置位QE位之后下次再下载时仍然用单线模式擦写Flash还行不行了，放心，即使QE位置位，单线命令还是可以工作的；
前面絮叨了一大堆，最后回到我上传的这套flash算法该怎么用这个主题上来。首先将附件中的工程解压到C:\Keil_v5\ARM\Flash\路径下，打开Flash\MIMXRT_v1.1目录下面的工程（刚打开后会提示找不到型号，默认选择ARM Cortex-M0内核，这个不需要修改，因为M0的指令集是M7的子集，而涉及到Flash烧写的指令都是M0指令集就可以cover的），里面我默认创建了三个工程选项即EVK板载的HyperFlash算法，GD 3.3v QSPI Flash和WinbondQSPI Flash，打开FlashPrg.c找到如下红色标注的地方，这里面我列出了根据QE位所在位置分类的配置，即如果是GD 3.3v QSPI Flash的话，如上面第2点我说的首先它所在的位置为状态寄存器的第1位上，另外这个位还需要单独的0x31命令去访问，所以相应的option0.U所在位需要改成4，同理如果是Winbond QSPI Flash则需要改成2，具体见如下截图后者直接参考附件源码，最后编译整个工程即可在C:\Keil_v5\ARM\Flash\目录下找到生成好的.FLM文件了。
说完Flash烧写算法，在用户的应用工程里面，需要注意的有两个问题，第一个问题是在Keil的debugger选项里面找到刚刚生成好的FLM文件即Flash烧写算法，然后有个特别注意的地方即配置Flash烧写算法的运行memory，官方的SDK里面把Start地址写的是0x20000000即RT的DTCM里面了，这在你的image小的时候没什么问题，但是当image大于500KB之后就会偶尔发现Flash烧写不稳定或者经常失败的情况，这里建议改成如下图0x00000000即RT的ITCM首地址，实测下来烧写速度更快且烧写几MB的代码也是木有问题的（还有个小细节，在烧写大image的时候会遇到烧写过程中Keil界面卡住的情况，这个时候不要做额外的任何操作，这是Keil debugger的bug，只需要耐心等待它烧写完成即可）。那还有第二个问题，就是如果RT配置成XIP 4线制启动，那XIP的配置信息如下图2也需要做相应的修改即可（在XIP文件夹flexspi_nor_config.c里面），主要是flashPadType参数和LUT查找表的参数都改成4线的；
说是一定要在高铁上把这篇文章写完，结果还是有一部分等到了酒店才把内容补上，短短几个小时还是不够边思考边撰文的，看来以后还是得提高写作的效率了，另外自己还有轻微的拖延症，毛病甚多啊，呵呵。索性不负所托，最终还是把这篇给屡完了，还是那句老话，未完待续~
附件源码：
链接: https://pan.baidu.com/s/15LYeUSMYgduJf2l6EPC_7Q 密码: h84q