东芝发布XG6 M.2硬盘：首发96层3D闪存，3GB/s读写

前不久东芝、西数分别宣布出样96层堆栈的QLC闪存，核心容量可达1.33Tb，达到了业界最高水平，单封装就可以做到2.66TB容量。不过QLC闪存还是未来的产品，普及还早，现在的重点依然是3D TLC闪存，东芝公司今天发布了XG6系列M.2 SSD硬盘，首发了96层堆栈的3D TLC闪存，读取速度3180MB/s，写入速度2960MB/s，随机读写可达365KIOPS，性能很强大，容量最大1TB。

东芝一向都是在自家产品上首发新品闪存，上代的XG5系列NVMe硬盘首发的是64层堆栈的3D TLC闪存，不过XG5系列SSD的性能并不算多强，读写速度最高才是3000MB/s、2100MB/s，随机性能都没公布，但XG6系列就不同了，连续读写及随机性能都是顶级水平的，看样子96层堆栈的BiCS 4闪存性能有所改进。

东芝XG6系列硬盘有256、512及1024GB三种容量（单面PCB布局），使用PCIe 3.0 x4通道，支持NVMe 1.3a规范，M.2 2280规格，读取速度可达3180MB/s，写入速度2960MB/s，随机读取及随机写入都是365K IOPS，随机性能介于三星960 Pro的512GB与1TB版之间，连续写入性能高于960 Pro，不过跟970 Pro的随机性能还有点差距。

其它方面，XG6硬盘的典型读取功耗低于4.2W，典型写入功耗低于4.7W，待机功耗3mW，MTTF时间150万小时，质保5年，支持TCG及OPAL 2.0加密。

东芝的XG6也主要面向OEM市场，目前正在给特定客户出样，价格未知。

随着QLC闪存上市临近，今年底我们就能见到相关产品发布，而且QLC闪存未来会是厂商生产的重点，势必会抢占TLC闪存的产能及市场空间，QLC闪存与TLC闪存之间的对比将会很有意思。