Si3N4衬底上制备V2O5/V/V2O5复合薄膜|Al的Si3N4纳米线|石英玻璃衬底上沉积平凸形Si3N4球面介质膜

间歇通O2的方式,采用射频磁控溅射法在Si3N4衬底上制备V2O5/V/V2O5复合薄膜,研究了不同原位退火条件对薄膜阻值及电阻温度系数(TCR)的影响.结果表明,经过退火处理后的V2O5/V/V2O5复合薄膜方阻值大大降低,电阻-温度曲线呈现良好的线性特性,并具有高TCR值及优良的电学稳定性.利用X射线光电子能谱(XPS)对退火后的V2O5/V/V2O5复合薄膜表面进行V,O元素分析,结果表明,V2O5/V/V2O5复合薄膜各层间的扩散效果显著影响薄膜表面不同价态V离子的含量,低价V离子会随着退火温度的升高及退火时间的延长而增多,薄膜表面对水分子的吸附也随之变强.在实验结果的基础上,利用扩散理论阐述了退火条件对V2O5/V/V2O5复合薄膜电学性能影响的机理.

我们有科研试剂、多肽、石墨烯、石墨炔(graphyne)发光材料、金属配合物发光材料、光电材料、MAX相陶瓷，碳纳米管、原料药、纳米材料、钙钛矿、脂质体

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