GaN|意法半导体推出MasterGaN系列新器件，针对非对称拓扑结构进行优化
ST公司推出基于MasterGaN平台的首个包含两个非对称氮化镓（GaN）晶体管的产品MasterGaN2，提供适合软开关和有源整流转换器拓扑结构的集成GaN解决方案。
性能指标
该650V常闭GaN晶体管的导通电阻RDS(on)为150mΩ和225mΩ。每个晶体管都使用了经优化的栅驱动器，使GaN技术与普通硅器件一样易于使用。通过将先进集成技术与GaN固有性能优势相结合，MasterGaN2进一步实现了有源钳位返驰式（clamp flyback）拓扑结构的效率提升、尺寸减小和重量减轻。
MasterGaN功率封装内系统(SiP)系列将两个GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和相关高压栅驱动器结合在同一封装内，并内置了所有必要的保护机制。设计者可以轻松地将外部设备（包括霍尔传感器和控制器，如DSP、FPGA或微控制器）直接连接到MasterGaN器件上。输入与3.3V至15V的逻辑信号兼容，有助于简化电路设计和材料清单、减小占地面积、简化装配，有助于提高适配器和快速充电器的功率密度。
内置保护功能包括低压侧和高压侧欠压锁定（UVLO）、栅驱动器互锁、专用关断引脚和过温保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN封装针对高压应用进行了优化，高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。
重要意义
GaN技术正在推动快速USB-PD适配器和智能手机充电器的发展。意法半导体的MasterGaN器件使这些器件的体积缩小了80%，重量减轻了70%，充电速度是普通硅基解决方案的三倍。MasterGaN2现已投入生产，1000片订单的价格为6.5美元起。
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