新一轮产业升级，全球进入第三代半导体时代

随着物联网，大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求日益增长，对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。经过几十年的发展，硅基半导体功率器件的性能已接近其物理极限，以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐收到市场的重视，一些技术领先的国家和企业，已形成完整的覆盖材料，器件，模块和应用等环节的产业链并投入商用。我国近年来，各企业也开始纷纷在碳化硅半导体产业版图布局。

目前，碳化硅是发展的最成熟的第三代半导体材料，其具有宽禁带，高临界击穿电场等优势，是制造高压高温功率半导体器件的优质半导体材料。碳化硅已经在智能电网，轨道交通，新能源并网，开关电源等领域得到了应用，展现出了优良的性质和广阔的发展前景，全球新一轮的产业升级已经开始，正在逐渐进入第三代半导体时代。

同时，碳化硅器件也与节能减碳的发展方向相契合。以电动汽车为例，使用SiC的功率模块可大幅减小模块体积，增加其电源效率，增长其续航时间。电动汽车领军品牌特斯拉Tesla推出的Model3，采用24个碳化硅MOSFET为功率模块的逆变器后，续航力大幅提升。

占据国际碳化硅市场份额超过70%的科锐Cree近日也宣布从硅（Si）向碳化硅（SiC）产业转型，以支持电动汽车，4G/5G通信和工业市场的不断增长。目前该公司正在美国纽约州Marcy建造全世界最大的碳化硅（SiC）制造工厂，其首席执行官Gregg Lowe先生表示：“科锐将在碳化硅制造和研发方面继续加大投入。我们相信先进半导体制造对于引领加速下一代技术起着至关重要的作用。“

国内的碳化硅半导体企业如天科合达，山东天岳，瀚天天成，东莞天域以及中国电科55所，中车时代等也在碳化硅半导体材料及器件制造方面持续的取得了一些进展，全国也陆续有相关的项目落地，前景可期。

其中株洲中车时代电气股份有限公司作为国内首个拥有6英寸SiC 芯片生产线的企业，从2018年首批芯片试制成功后，不断提高其工艺稳定性，接到了来自轨道交通，电动汽车，新能源等多个领域的订单，其产品已推向市场。

第五届国际碳材料大会暨产业博览会—碳化硅半导体论坛将邀请中国株洲中车时代电气股份有限公司的刘国友副总工做相关报告，与行业同行分享交流碳化硅功率器件相关话题，共同推动碳化硅半导体产业发展。

刘国友博士

刘国友博士，教授级高工，株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师，中车首席技术专家。新型功率半导体器件国家重点实验室常务副主任，国家“万人计划”科技领军人才，国务院特殊津贴专家，Semi中国化合物半导体标准技术委员会主席。

先后承担国家、省部级重大项目10余项，主持研发全球第一只6英寸直流输电晶闸管，第一片8英寸高压IGBT芯片。在8英寸高压IGBT芯片工艺集成与制造技术、超大容量压接型IGBT、汽车级IGBT、SiC器件技术等方面取得多项技术成果，支撑了高铁、直流输电、电动汽车与新能源装备等产业发展。

在国内外核心期刊发表论文70余篇，申报国内外发明专利200余项，已获授权发明专利100余项，美国专利3项，荣获国家技术发明二等奖1项、国家科学技术进步二等奖1项，省部级科技一等奖6项。

第五届国际碳材料大会暨产业展览会------碳化硅半导体论坛将于11月17-20日在上海举办。

碳化硅论坛将针对新时代下碳化硅半导体行业如何创新突破，从解决晶圆制造工艺设备、产业发展趋势，功率器件的设计与优化等方向出发，旨在为碳化硅产业提供优质的解决方案，促进产业发展。

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