NMOS三极管集成电路结构光刻胶膜

NMOS三极管集成电路结构光刻胶膜

上图步骤1中的光刻胶涂胶过程也是一种重要的半导体工艺。其目的就是在晶圆表面建立轻薄，均匀且没有缺陷的光刻胶膜。一般来说，光刻胶膜厚度从0.5um到1.5um 不等，厚度的误差需要在正负0.01um以内。半导体光刻胶的涂敷方法主要是旋转涂胶法，具体可以分为静态旋转法和动态喷洒法。

静态旋转法涂胶过程示意图

静态旋转法：先把光刻胶通过滴胶头堆积在硅片的中心，然后低速旋转使得光刻胶铺开，再以高速旋转甩掉多余的光刻胶。在高速旋转的过程中，光刻胶中的溶剂会挥发一部分。这个过程可以如图表16中所示。静态涂胶法中的光刻胶堆积量非常关键，量少了会导致光刻胶不能充分覆盖硅片，量大了会导致光刻胶在硅片边缘堆积甚至流到硅片的背面，影响工艺质量。

合格与不合格的静态涂胶过程示意图

动态喷洒法：随着硅片尺寸越来越大，静态涂胶已经不能满足新的硅片加工需求。相对静态旋转法而言，动态喷洒法在光刻胶对硅片进行浇注的时刻就开始以低速旋转帮助光刻胶进行初的扩散。这种方法可以用较少量的光刻胶形成更均匀的光刻胶铺展，终以高速旋转形成满足厚薄与均匀度要求的光刻胶膜。

动态喷洒法涂胶过程示意图

1-ethoxyethyl 2-methylprop-2-enoate51920-52-6

甲基丙烯酸四氢呋喃-2-基酯15895-80-4

oxan-2-yl 2-methylprop-2-enoate52858-59-0

6-methacryloyl-6-azabicyclo[3.2.0]heptan-7-one1267624-16-7

3-叔丁氧基苯乙烯105612-79-1

2-丙烯酸3-(二乙氧基甲基甲硅烷基)丙基酯13732-00-8

2,3-二羟基丙烯酸丙酯10095-20-2

2-[(4-乙烯基苯氧基)甲基]环氧乙烷2653-39-6

3,5-二乙酰氧基苯乙烯155222-48-3

2-(2,2-二氟乙烯基)双环[2.2.1]庚烷123455-94-7

二苯基碘酰氯1483-72-3

双［4-(1,1-二甲基乙基)苯基］碘鎓与三氟甲磺酸的盐84563-54-2

全氟丁基磺酸三苯基锍盐144317-44-2

双(4-叔丁基苯基)氯化碘鎓5421-53-4

TBPDPS-PFBS258872-05-8

1二(4-叔丁基苯基)碘鎓全氟代丁烷磺酸盐194999-85-4

(4-苯基硫代苯基)二苯基锍三氟甲磺酸111281-12-0

N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸85342-62-7

六氟二酐（6FDA)1107-00-2

9,9-双(3-氟-4-氨基苯基)芴 (FFDA)127926-65-2

9,9-双(4-氨基苯基)芴 （FDA)15499-84-0

4,4’-二氨基-2,2’-二甲基联苯 (M-Tolidine)84-67-3

2,2-双(3-氨基-4-羟基苯基) 六氟丙烷83558-87-6

1,3-双(3-氨基苯氧基)苯 (APB)10526-07-5

4,4'-双(4-氨苯氧基)联苯(BAPB)13080-85-8

1,3-双(4-氨苯氧基)苯2479-46-1

4,4-二氨基联苯-2,2-二羧酸17557-76-5

2,2'-双(三氟甲基)-4,4'-二氨基苯基醚344-48-9

ODA 4,4'-二氨基二苯醚101-80-4

BAPP 2,2'-双[4-(4-氨基苯氧基苯基)]丙烷13080-86-9

TPE-Q 1,4-双(4-氨基苯氧基)苯3491/12/1

BPADA 双酚A型二醚二酐38103-06-9

BTDA 3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐2421-28-5

BPDA 3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐2420-87-3

CBDA 环丁烷四甲酸二酐4415-87-6

DABA 3,5-二氨基苯甲酸535-87-5

TFMB 2,2'-双(三氟甲基)二氨基联苯341-58-2

A-BPDA 2,3,3',4'-联苯四甲酸二酐36978-41-3

BOAFL 9,9-二[(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴47758-37-2

TCA 四氢-1H-5,9-甲烷吡喃并[3,4-d]噁英-1,3,6,8(4H)-四酮6053-46-9

ODPA 4,4'-氧双邻苯二甲酸酐1823-59-2

A-ODPA 3,4'-氧双邻苯二甲酸酐50662-95-8

HFBAPP 2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷69563-88-8

wyf 01.22