西数会议：已交付96层3D闪存产品，2D转3D过程很繁琐

前两天西数召开了一个会议，主要讨论关于与东芝合作的各项协议细则，而西数在会议上还报告了BiCS 3和BiCS 4 3D NAND闪存的生产状况。早前西部数据制定过一个目标，希望今年采用BiCS 3技术生产的64层3D NAND闪存能占到3D NAND闪存产量的75%，不过现在这个数字有望能提升到90%以上。另一组数据显示，西数的闪存类型还没完全从2D NAND转换成3D NAND，现在3D NAND闪存的只占到总产量的65%，换言之西数生产的所有闪存种还有三分之一是2D NAND闪存。

另外在本月12号，西数宣布采用BiCS4技术的96层3D NAND闪存已经出货给零售商，早在6月底时我们已经了解到西数的BiCS 4闪存不仅会有TLC类型，而且会有QLC。使用BiCS 4技术的TLC闪存芯片和采用BiCS 3的TLC闪存芯片没任何区别，均包含256Gb和512Gb两种规格，但是采用BiCS 4技术的QLC的存储芯片还可以有768Gb甚至1Tb这两种规格。

同时西数在他们的PPT中表示从2D NAND工艺转向3D NAND工艺过程非常繁琐，他们也认为这个计划的执行时间比原定时间推迟了大约6个月，不过从2D闪存彻底转向3D闪存的持续过程不会用太长时间。在现在2D转3D的大潮中，有些制造商已经将用于生产2D NAND的设备升级成生产DRAM的设备，而不是升级成生产3D NAND的设备，不知道西数会不会借鉴这种思路。