西部数据和恺侠宣布其BiCS5技术开发成功：3D NAND堆叠层数达到112层

西部数据和恺侠（原东芝存储）在1月30日宣布他们的NAND 3D堆叠技术——BiCS，成功开发出了第五代，即BiCS5。这代技术将会用于TLC和QLC的生产，相对于上代BiCS4，在存储密度上面有明显增加。

BiCS4是96层堆叠，新的BiCS5将堆叠层数提高到了112层，单纯从层数上来看，密度会有16.67％的增长，不过西部数据宣称他们在新一代3D堆叠式NAND上面采用了包括制程工艺改善在内的各种改进手段，最终使得单元密度有非常大的提升，单芯片的存储容量能够提高40％，而恺侠方面则是称存储单元阵列的密度相对于上一代技术有20％的提升。

新一代BiCS技术带来的不仅仅是存储密度上的提升，还有性能方面的加强，西部数据称BiCS5在I/O性能上会比BiCS4高出50％，另外，其读写延迟也会降低。在恺侠的路线图上面，BiCS5对应着PCIe 4.0。

具体到产品上，恺侠正准备于今年第一季度出样512Gb的TLC颗粒，大规模量产的时间点则是放在今年下半年。另外，他们还准备了容量为1Tb的TLC颗粒和1.33Tb的QLC颗粒。其他几家NAND的主要供应商或是正在开发1xx层数级别的堆叠技术，或是已经准备将这些技术用于量产了。但是远水解不了近渴，目前SSD即将处于供需周期中的供不应求阶段，我们已经看到了价格上涨的苗头，而这些增加供应量的新技术还要等上一段时间才能够起效。