【半导体设备】从AMAT、Lam、TEL年报看半导体设备行业趋势：2021、2022年都是设备大年，...

全球半导体设备龙头相继发布年报，AMAT、Lam、TEL三家公司2020年经营业绩大幅增长的同时，纷纷在NAND、DRAM及先进制程的刻蚀、薄膜沉积以及清洗、量测等环节推出新产品争夺市场份额。

Lam Research在三家半导体设备龙头中2020年业绩增速最快。Applied Materials财年收入172亿美元，同比增长18%，净利润36亿美元，同比增长34%；Lam Research自然年收入119亿美元，同比增长25%，净利润30亿美元，同比43%；TEL自然年收入12831亿日元（按年末汇率折合124亿美元），同比增长14%，净利润2151亿日元（按年末汇率折合21亿美元），同比增长12%。

2021及2022年仍将是全球半导体设备行业大年，预计2021年DRAM资本开支将快于NAND。根据seekingalpha.com，Lam Research估计2021年全球WFE市场规模650-700亿美元，同比增长20%左右，具体表现包括3D NAND向更高层数迁移、DRAM资本开支强劲、Foundry/Logic持续增加的资本开支，超预期的背后原因是全球经济数字化，叠加半导体行业资本密度的提高。2022年半导体设备行业仍很乐观，AI、HPC、IoT、5G等技术将支撑半导体行业未来持续多年的趋势向上。

中国大陆本土晶圆客户设备市场占全球WFE市场的15%-20%。根据seekingalpha.com，Lam Research估计2020年全球WFE市场规模在550-600亿美元，中国大陆本土晶圆客户设备市场规模达到100亿美元，占全球WFE市场的17%左右，加上跨国公司在中国大陆设立的晶圆厂设备采购，中国大陆是全球WFE的主要市场之一。

根据各公司公告，预计在中国大陆市场上的前六大设备供应商销售额从大到小依次是Applied Materials、Lam Research、TEL、ASML、KLA、DNS。

根据seekingalpha.com公开资料，Lam Research在NAND设备市场上处于优势地位，但在DRAM刻蚀设备市场上的市占率超过50%，而应用材料在DRAM导体刻蚀的市占率达到30%。

三家公司在刻蚀和CVD、清洗领域，主要围绕HAR工艺方面的新产品展开竞争。

Lam Research推出Striker FE 原子层沉积，适用于3D NAND、DRAM和逻辑器件中高深宽比的介质填充，基于Sense.i刻蚀平台发布的Vantex™重新定义高深宽比刻蚀，主要用于NAND、DRAM器件，Kiyo® GX导体刻蚀系统采用更先进的RF脉冲技术，用于Foundry/Logic客户中的高深宽比刻蚀，可用于未来的nanowire或nanosheet结构。

Applied Materials主要在刻蚀设备领域推出的Sym3，是Applied Materials历史上最好的刻蚀平台。

TEL推出新的刻蚀平台Episode UL，可以根据客户需求来选择4-12个反应腔的配置，以及新的清洗设备CELLESTA SCD。

风险因素：新产品工艺验证时间长且风险高，PE估值较高的风险，晶圆制造项目可能遇到的技术及建设进度风险等。

中银机械：杨绍辉 13818799289 /陶波 15221585539/朱祖跃 18018591253

以上内容摘自2021-02-04《半导体设备行业点评：从AMAT、Lam、TEL年报看半导体设备行业趋势》

附件：

1、泛林集团先进的Striker® FE平台，为下一代器件创新赋能

全球半导体产业创新晶圆制造设备及服务主要供应商泛林集团 (Nasdaq: LRCX) 宣布推出一款全新的工艺方案——先进的Striker® FE平台——用于制造高深宽比的芯片架构。Striker FE平台采用了业界首创的ICEFill™技术，以填充新节点下3D NAND、DRAM和逻辑存储器的极端结构。不仅如此，该系统还具备更低的持续运行成本和更好的技术延展性，以满足半导体产业技术路线图的发展。

全新的工艺方案——先进的Striker® FE平台

半导体制造行业一直以来使用的填隙方法包括传统的化学气相沉积 (CVD)、扩散/熔炉和旋涂工艺。然而，由于这些技术需要在质量、收缩率和填充率之间权衡取舍，因此已无法满足当前3D NAND的生产要求。相比之下，泛林集团的Striker ICEFill采用其独有的表面改性技术，可以实现高选择性自下而上及无缝的填隙，并保持原子层沉积 (ALD) 固有的成膜质量。ICEFill技术能够解决3D NAND器件普遍存在的高深宽比填隙面临的限制，避免DRAM和逻辑器件结构倒塌的问题。

泛林集团高级副总裁兼沉积产品事业部总经理Sesha Varadarajan表示：“我们致力于为客户提供最好的ALD技术。在单一工艺系统中，这项技术不仅能够以优异的填隙性能生产高质量氧化膜，还整合了泛林集团行业领先的四位一体的模块架构带来的生产率优势。”

2、泛林推出革命性的新刻蚀技术Vantex™，推动下一代3D存储器件

——通过技术和Equipment Intelligence®（设备智能）的创新，Vantex™重新定义了高深宽比刻蚀，助力芯片制造商推进3D NAND和DRAM的技术路线图。

泛林Vantex™新型刻蚀腔室搭载其行业领先的Sense.i™刻蚀平台

泛林集团发布了最新介电质刻蚀技术Vantex™，专为智能化的刻蚀平台Sense.i™所设计的，该设计将为目前和下一代NAND和DRAM存储设备提供更高的性能和更大的可延展性。

3D存储设备通常被应用于例如智能手机、显卡和固态存储驱动等。芯片制造商们一直以来都在通过纵向增加设备尺寸和横向减少关键尺寸(CD)持续降低先进技术产品的位成本，将3D NAND和DRAM中的刻蚀深宽比提升至更高水平。

Vantex的全新腔室设计能够以更高的射频(RF)功率刻蚀更高深宽比的器件，提升产能，降低成本。更高的功率和射频脉冲技术的结合可以实现严苛的CD控制，从而改进器件功能。

根据3D NAND设备的技术路线图，每一代刻蚀都需要实现更大的深度，这也推动了提升刻蚀轮廓均匀性的需求。Vantex技术控制了刻蚀的垂直角度，以满足这些3D器件结构设计密度要求，并在整个300mm晶圆上实现高良率。

“10多年来，泛林集团一直在高深宽比刻蚀领域保持行业领先，我们所独有的经验使Vantex的腔室设计从一开始就能够为未来的许多技术节点提供可延展性和创新性。” 泛林集团高级副总裁、刻蚀产品事业部总经理Vahid Vahedi表示，“Vantex重新定义了刻蚀平台性能和生产效率的行业标杆，这一突破性的刻蚀技术对于客户来说非常有吸引力。”

泛林集团Sense.i刻蚀平台具有Equipment Intelligence®（设备智能）功能，可以从数百个传感器收集数据，监测系统和工艺性能。借助Sense.i系统的高带宽通信，Vantex刻蚀腔室在每个晶圆中采集的数据多于市场上其他任何设备——它能够更有效地分析和利用数据，以提高晶圆上和晶圆间的性能。

泛林集团将持续向存储器行业的领军客户提供Sense.i平台上的Vantex以期获得客户认可和重复订单，助力客户在2021年实现高量产。

3、应用材料公司推出用于先进存储器和逻辑芯片的新型刻蚀系统Sym3

应用材料公司近日宣布为其大获成功的Centris® Sym3®刻蚀产品系列再添新成员。现在，该系列产品能让芯片制造商在尖端存储器和逻辑芯片上以更加精细的尺寸成像和成型。

新型Centris Sym3® Y是应用材料公司最先进的导体刻蚀系统。该系统采用创新射频脉冲技术为客户提供极高的材料选择性、深度控制和剖面控制，使之能够在3D NAND、DRAM和逻辑节点（包括FinFET和新兴的环绕栅极架构）创建密集排列的高深宽比结构。

●   Sym3® Y专为3D NAND、DRAM和代工厂逻辑节点中的关键导体刻蚀应用而打造

●   这一最新系统为公司历史上最迅速大量占领市场的产品扩大了应用范围

●   里程碑达成：Sym3反应腔出货量达到5000台

应用材料公司的Centris® Sym3® Y刻蚀系统能让芯片制造商在尖端存储器和逻辑芯片上以更加精细的尺寸成像和成型

Sym3系列成功的关键在于其独特技术特征： 高电导反应腔架构能够提供特殊的刻蚀剖面控制，快速有效地排出每次晶圆工艺产生的刻蚀副产物。Sym3 Y系统采用保护关键腔体组件的专有新型涂层材料，扩大了该成功架构的优势，从而进一步减少缺陷并提高良率。

Sym3刻蚀系统于2015年首次推出，如今已成为应用材料公司历史上最迅速大量占领市场的产品。时至今日，Sym3反应腔出货量达到了5000台大关。

应用材料公司的战略是为客户提供全新的材料成型和成像方法，以实现新型3D结构并开辟继续进行2D微缩的新途径，而Sym3系列正是实现这一战略的关键产品。应用材料公司采用独特的化学气相沉积（CVD）镀膜技术对Sym3系统进行协同优化，让客户能够增加3D NAND内存器件中的层数，并减少DRAM制造中四重成型所需的步骤数。应用材料公司会将上述技术与其电子束检测和审查技术一同部署，以加快研发并大规模实现行业最先进节点的产量爬坡，从而帮助客户改善芯片功耗、增强芯片性能、降低单位面积成本并加快上市时间（PPACt）。

应用材料公司半导体产品事业部副总裁兼总经理Mukund Srinivasan博士表示：“应用材料公司在2015年推出Sym3系统时采用了全新方法进行导体刻蚀，并解决了3D NAND和DRAM中一些最棘手的刻蚀难题。今天，在最先进的存储器和代工厂逻辑节点中，关键刻蚀和极紫外（EUV）图形化应用呈现出强劲的发展势头和增长。未来，我们将继续升级并助力业界向下一代芯片设计演进。”

每个Sym3 Y系统均包括多个刻蚀和等离子清洁晶圆工艺反应腔，并由智能系统控制可确保每个反应腔都拥有一致的性能，从而实现稳定的工艺和高生产力。全球多家领先的NAND、DRAM和代工厂逻辑节点客户都在使用这一新系统。

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评级体系说明

以报告发布日后公司股价/行业指数涨跌幅相对同期相关市场指数的涨跌幅的表现为基准：

公司投资评级：

买        入：预计该公司股价在未来6个月内超越基准指数20%以上；

增        持：预计该公司股价在未来6个月内超越基准指数10%-20%；

中        性：预计该公司股价在未来6个月内相对基准指数变动幅度在-10%-10%之间；

减        持：预计该公司股价在未来6个月内相对基准指数跌幅在10%以上；

未有评级：因无法获取必要的资料或者其他原因，未能给出明确的投资评级。

行业投资评级：

强于大市：预计该行业指数在未来6个月内表现强于基准指数；

中        性：预计该行业指数在未来6个月内表现基本与基准指数持平；

弱于大市：预计该行业指数在未来6个月内表现弱于基准指数。

未有评级：因无法获取必要的资料或者其他原因，未能给出明确的投资评级。

沪深市场基准指数为沪深300指数；新三板市场基准指数为三板成指或三板做市指数；香港市场基准指数为恒生指数或恒生中国企业指数；美股市场基准指数为纳斯达克综合指数或标普500指数。