浙江大学Jiangping Tu课题组--垂直石墨烯/硒化钼/氮掺杂碳三明治阵列用于增强钠存储

这里通过水热和聚合方法，开发了一种三明治复合材料阵列。在这样的独特的结构中，起皱的MoSe2纳米片夹在垂直石墨烯（VG）核和N掺杂碳（N-C）壳中间，形成了三明治核/壳阵列。所获得的VG/MoSe2/N-C三明治阵列具有一系列优势，包括高导电性，强机械稳定性和大孔隙率等。作为初步测试，VG/ MoSe2/N-C三明治阵列的钠离子存储特性被表征评估，其容量达540 mA h g-1，优异的高倍率特性和长期循环稳定性（1000个周期后，在2.0 A g-1时容量为298 mA h g-1）。该三明治核/壳结构对电化学性能起到正面作用，即导电碳网络和良好的容积适应性，以及高度多孔的结构便于离子快速扩散。

Figure 1.（a）合成三明治VG/MoSe2/N-C核壳阵列的示意图。（b-d）对应过程的SEM图。

Figure 2. a–c）三明治VG/MoSe2/N-C核壳阵列的SEM图像和d–f）TEM图像。g）C，Mo，Se和N元素分布情况。h）三明治VG/MoSe2/N-C核壳阵列样品的光学照片。

Figure 3. VG，VG/MoSe2和VG/MoSe2/N-C的a）XRD图和b）拉曼光谱。VG/MoSe2/N-C的XPS光谱：c）总谱，d）Mo 3d，e）Se 3d和f）N 1s光谱。

Figure 4. VG/MoSe2和VG/MoSe2/N-C电极的电化学特性：a）第三个循环的CV曲线，扫描速率为0.1 mV s-1，电压范围在0.01和3.0 V之间。b）5次循环后，在3.0 V电位时的Nyquist图。c）在0.2 A g-1电流密度下，第1，第2和第100周期的放电/充电电压曲线。d）VG/MoSe2/N-C电极的倍率特性和e）分别在1和2 A g-1电流密度下的循环稳定性。

该研究工作由浙江大学Jiangping Tu课题组，发表在Adv. Energy Mater.期刊上。原文：Exploring Advanced Sandwiched Arrays by Vertical Graphene and N-Doped Carbon for Enhanced Sodium Storage。