【法库人物】柏家沟镇王茂增

王茂增

王茂增,1937年1 月出生,法库县柏家沟镇二台子村人。其祖父王化生为清末秀才,是奉军总参议杨宇霆的好友，其父王文采是杨宇霆的贴身侍卫,其舅父杨熙远曾任法库县政协副主席。1944 年春至 1951 年秋,王茂增先后在法库县二台子小学、肖家街小学、大明碑小学读书。1951 年秋至 1958 年 7月，在法库中学读书,为共青团员。1958年于法库高中毕业后,被保送到东北人民大学(今吉林大学)物理系半导体专业学习,攻读半导体物理与器件学科。1959年 12 月加入中国共产党。在大学曾担任团支部书记团分总支委员。

1963 年于吉林大学半导体系毕业后王茂增被分配到中国科学院半导体研究所工作，历任课题组组长、工程会战组组长室党支部书记、工程师、高级工程师。1997年开始，在中外合资的北京佳云净水设备有限公司任总经理

王茂增在中国科学院半导体研究所一直从事半导体材料与器件的研制工作，其参与完成的锗高速雪崩光电探测器项目，已被列入国家科技成果。1963 年至 1965年,王茂增和该所 106 组同行共同研制的高纯度锑化铟(Insb)化合物半导体,达到国际水平。中科院团委曾授予 106 组为先进青年小组。

1965 年至 1967 年,王茂增在科研攻关中,查阅了大量国外文献,结合国内技术，在国内首次用三氧化二硼包闭法拉制出砷化铟单晶半导体;该法又推广应用于砷化镓化合物半导体，均达到国际先进水平，为以后砷化镓材料应用打下了良好的基础。1969 年,王茂增参加北京地区“696”工程会战,任组长,研制出半导体微波器件——大功率限累二级管。同年,曾参加在石家庄地区进行的国防科委“514”机载雷达会战,为发展航天技术做出了贡献。1976 年至1984 年，王茂增研制的三分波段砷化镓雪崩光电二极管及探测器，为开发中国半导体微波器件做出了重要贡献。

王关于金属与半导体表面势垒的研究，受到了国内同行肯定和重视。1985 年至 1993 年,王茂增同留学德国归来的张执中共同研究用于远红外的锗光电二极管及探测器，填补了国内空白,取代了从美国进口的器件,节省了外汇,满足了北京大学、清华大学、吉林大学测试研究的需要。并将该项技术推广给河南省南阳晶体管厂，通过河南省科委鉴定，受到了表扬。1997 年以来,王茂增从事水质净化及环境保护科研工作，其产品已遍及全国各地(含港澳地区);同时打入印度尼西亚、马来西亚、伊朗、孟加拉国、越南等国。

多年来，王茂增结合科研发表了许多论文和著作。主要著作和论文有:1978年和黄振岗合作翻译日文版《半导体物理学》(由北京高等教育出版社出版);同刘明登、王季陶合作编写的大学教材《半导体材料》(满足了高等院校教学与研究需要);自己完成的关于砷化镓表面金属势垒研制技术的著作《半导体技术》出版后,受到了好评；所撰写的论文《锗红外二极管及探测器》，已收入《半导体论文集》。

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