Mein Verständnis über Aufbau- und Verbindungtechnik
Aus einem großen Perspektiv ist Aufbau- und-Verbindungstechnik im Vergleich zur Halbleitertechnik ein Back-End. Unterschiedliche Bauteilelemente werden auf einem Substrat durch Kontaktierungsverfahren bestückt, verbindet und unter Gehäuse gegen mechanische Vibration beschützt. Systemintegration spielt eineentscheidende Rolle im Mikrosystem. Die Gründe liegen nicht nur an der Wirtschaftlichkeit, sondern auch an der zunehmenden Leistungsdicht. Außerdemist die Zuverlässigkeit immer ein wichtiges Kriterium für ein reales System.
Welche Verbindungstechnik man bei derKontaktierung verwendet, kommt auf physikalische und chemische Eigenschaftender Materialien an. Keramik, Gläser und Polymeren sind dielektrisch und könnenals Substrat oder in der Passivierung benutzt. Die metallischen Bindungenbilden ein Gitter und erlaubt eine gegenseitige Verschiebung von Atomen, damitsind Metalle duktil. Deshalb können Metalle verformt und nicht leicht untergebrochen werden. Die ionisch gebundenen Aluminiumoxid hat einen relativ hohen Schmelzpunkt und ist auch spröd. Der spezifische Widerstand besteht aus temperaturabhängigem Teil durch Gitterschwingung, Restwiderstand durch die Streuung der Elektronen an Defekten,Widerstand durch die plastische Deformation des Gitters. Außerdem sindmechanische Eigenschaften wie Viskosität, Oberflächenspannung und Diffusion auch wichtig. Verbindungtechnologien sind Kleben, Löten und Schweißen. UndVerbindungsprozess kann in drei Phasen eingeteilt werden, nämlich Reinigung der Oberflächen, Annährung, und Interdiffusion oder Wechselwirkung. Reinigung kanndurch Ätzen, Reibung (Ultraschall) und plastische Deformation realisiert.Wichtige Einflüsse bei Diffusion sind Temperatur und Reaktionszeit.
Die ist einzelnes Chip ohne Gehäuse. DasDie-Bonden kann durch Kleben, Löten oder Schweißen realisiert werden.Drahtbonden hat zwei Arte Ball\Wedge und Wedge\Wedge. Gold Ball Bonden istschneller als Al Wedge Bonden, weil die Weiterführung des Drahts richtungsunabhängig ist. Flip Chip bedeutet,dass die Substratseite mit Bumb nach unter gedreht wird. Dickschicht benutztzwei Materialien als Substrate, HTCC und LTCC. Beide drucken Struktur auf einem isolierenden Träger. Danach wird es in einem Ofen eingebracht und zur widerständigen und zuverlässigen Anforderung gesintert. Unterschied ist die Schichtzahl. Wichtige Verfahren bei der Dünnschicht sind Galvanik und Photoresist. Galvanik ist eine elektrochemische Abscheidung von metallischen Niederschlägen auf Substrat. An Anode befindest sich das Metall, das aufgebracht werden soll. Am Kathode befindet sich das zu beschichtende Material. Vorteileist glatt und kann sehr dünn sein. Am Ende ist die Oberflächentechnik. Es istsehr einfach zu bestücken und kann auch Raum sparen.