东芝存储展示闪存生产未来路线图：PLC闪存在规划中

东芝存储最近在国际存储峰会上举行了一次发布会，展示了未来他们的闪存生产路线图。其中重点讲解了自家的多层堆叠闪存颗粒规划以及QLC之后的PLC颗粒的情况。

图片来自于Tom's Hardware，下同

BiCS闪存是东芝存储对于自家的3D多层堆叠式闪存颗粒的正式称呼，目前已经发展到了第4代，也就是96层堆叠的3D闪存。在接下去的每一代BiCS中，东芝都会对应一种新的PCIe标准，比如BiCS 5会对应PCIe 4.0，BiCS 6会对应PCIe 5.0等，但没有提供具体的时间表，并且在闪存带宽上面，每一代BiCS都会有所进步，从目前的800MT/s一直到未来第6代的1600MT/s，计划中的第7代将超过2000MT/s。

同时东芝已经在准备QLC的下一代，也就是每单元存储5bit数据的颗粒生产了，我们知道，2^5^是32，也就是每单元会出现32种电压状态，相比起TLC的8种、QLC的16种来说，PLC（Penta-level cell）的技术难度更高了。不过东芝称他们的PLC已经通过了验证，达到了可以使用的级别了。

而且现在QLC还没得到大规模应用的有几个原因，其中最为致命的就是它的速度还是太慢了，目前民用级市场上的大部分QLC产品都配置了SLC Cache，在缓存写完之后这些产品的持续写入速度甚至还不如一块机械硬盘，这在很多人看来都是不可接受的事情，而PLC初期只会比QLC更慢。

东芝还宣布了一项新的工艺技术，它可以将原本的一个单元切割成两半，同时保留原有的3D闪存工艺。在这种新工艺技术之下，东芝可以做到更大的die密度，并且在所有形式、全代数的BiCS闪存上都可以使用。